2025年7月3日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）正式推出三款新型高壓650V氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），型號(hào)分別為TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS。這三款產(chǎn)品專(zhuān)為多千瓦級(jí)應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計(jì)，廣泛適用于AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、800V高壓直流架構(gòu)、電動(dòng)汽車(chē)充電設(shè)備、不間斷電源（UPS）、電池儲(chǔ)能系統(tǒng)及太陽(yáng)能逆變器等高性能場(chǎng)景。

此次發(fā)布的第四代增強(qiáng)型（Gen IV Plus）GaN FET基于瑞薩收購(gòu)的Transphorm公司所開(kāi)發(fā)的SuperGaN?平臺(tái)打造。該平臺(tái)采用經(jīng)市場(chǎng)驗(yàn)證的耗盡型（d-mode）常關(guān)斷架構(gòu)，在提升效率的同時(shí)確保了器件的穩(wěn)定性和易集成性。與傳統(tǒng)硅基或碳化硅（SiC）方案相比，瑞薩新一代GaN FET在導(dǎo)通損耗、動(dòng)態(tài)電阻、柵極電荷等方面均有顯著優(yōu)化，并具備更高的4V閾值電壓，進(jìn)一步提升了開(kāi)關(guān)性能。

值得一提的是，新產(chǎn)品的裸片尺寸比前代縮小14%，實(shí)現(xiàn)30毫歐（mΩ）的超低導(dǎo)通電阻（RDS(on)），同時(shí)將導(dǎo)通電阻與輸出電容乘積（FOM）指標(biāo)提升20%。更小的裸片不僅降低了系統(tǒng)成本，還減少了輸出電容需求，從而提升整體效率和功率密度，特別適合對(duì)散熱和空間有嚴(yán)苛要求的應(yīng)用。

封裝方面，三款產(chǎn)品提供TOLT、TO-247和TOLL三種選項(xiàng)，便于工程師根據(jù)具體應(yīng)用靈活設(shè)計(jì)熱管理和PCB布局。其中，TOLT和TOLL表面貼裝封裝分別支持頂部與底部散熱路徑，有助于降低外殼溫度并提高并聯(lián)能力；而TO-247封裝則提供了更強(qiáng)的熱容量，適用于更高功率密度的設(shè)計(jì)。

瑞薩GaN業(yè)務(wù)部副總裁Primit Parikh表示：“Gen IV Plus系列的成功推出，標(biāo)志著瑞薩在完成對(duì)Transphorm收購(gòu)后，在GaN技術(shù)領(lǐng)域的首次重大突破。未來(lái)我們將持續(xù)融合SuperGaN?平臺(tái)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與瑞薩自身的驅(qū)動(dòng)器、控制器產(chǎn)品線，構(gòu)建完整的高效電源系統(tǒng)解決方案。”

此外，瑞薩在GaN領(lǐng)域已建立全面的產(chǎn)品矩陣，覆蓋高功率至低功率應(yīng)用場(chǎng)景，區(qū)別于多數(shù)僅專(zhuān)注于低功率段的廠商。截至目前，瑞薩累計(jì)出貨GaN器件超過(guò)2,000萬(wàn)顆，現(xiàn)場(chǎng)運(yùn)行時(shí)間突破300億小時(shí)，展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場(chǎng)認(rèn)可度和技術(shù)積累。

目前，三款新型GaN FET及配套4.2kW圖騰柱PFC評(píng)估平臺(tái)（RTDTTP4200W066A-KIT）均已開(kāi)放供貨，為開(kāi)發(fā)者提供從設(shè)計(jì)到落地的一站式支持。

深圳市中芯巨能電子有限公司是瑞薩電子代理商，為制造業(yè)廠家的工程師或采購(gòu)提供選型指導(dǎo)+數(shù)據(jù)手冊(cè)+樣片測(cè)試+技術(shù)支持等服務(wù)。如需產(chǎn)品規(guī)格書(shū)、樣片測(cè)試、采購(gòu)、BOM配單等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。