現(xiàn)貨庫(kù)存,2小時(shí)發(fā)貨,提供寄樣和解決方案
熱搜關(guān)鍵詞:
在需要生成負(fù)電壓軌的高壓應(yīng)用中,反相降壓-升壓拓?fù)涫且环N高效且實(shí)用的解決方案。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)能夠在高輸入電壓和高輸出電流條件下,提供穩(wěn)定的負(fù)電壓輸出,同時(shí)保持較高的效率和較小的尺寸。電源管理芯片代理商-中芯巨能將介紹反相降壓-升壓拓?fù)涞墓ぷ髟怼⒃O(shè)計(jì)要點(diǎn),并推薦幾款常用的電源管理芯片。
反相降壓-升壓拓?fù)鋵儆谌N基本的非隔離開(kāi)關(guān)拓?fù)渲弧F浜诵慕M件包括一個(gè)控制晶體管(通常為 MOSFET)、一個(gè)二極管(可以是肖特基二極管或同步 MOSFET),以及一個(gè)作為儲(chǔ)能元件的功率電感。功率電感的位置決定了拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):如果電感位于開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)和地(GND)之間,則構(gòu)成反相降壓-升壓轉(zhuǎn)換。
在連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)下,反相降壓-升壓拓?fù)涞臒峄芈酚奢斎腚娙荨⒖刂?MOSFET 和二極管構(gòu)成。與降壓和升壓拓?fù)湎啾龋聪嘟祲?升壓拓?fù)涞臒峄芈钒挥谳斎牒洼敵龆说慕M件,這會(huì)導(dǎo)致較高的 di/dt 和電磁干擾(EMI)。因此,在設(shè)計(jì)時(shí)需要特別注意熱回路的布局,以降低 EM。
電感選擇:電感值對(duì)線(xiàn)圈電流紋波有直接影響。建議將線(xiàn)圈電流紋波(ΔIL)保持在輸出電流(IOUT)的 30% 到 70% 之間。例如,使用 LTC3896 時(shí),建議在 300 kHz 的開(kāi)關(guān)頻率下選擇 10 μH 的電感,以確保在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)線(xiàn)圈電流紋波保持在合理范圍內(nèi)。
占空比與線(xiàn)圈電流紋波:反相降壓-升壓拓?fù)涞恼伎毡扰c輸入電壓(VIN)和輸出電壓(VOUT)的關(guān)系較為復(fù)雜。與升壓拓?fù)湎啾龋聪嘟祲?升壓拓?fù)湓诟邏簵l件下具有更高的線(xiàn)圈電流紋波,因此需要更高的電感。
EMI 控制:由于反相降壓-升壓拓?fù)涞臒峄芈钒斎牒洼敵龆说慕M件,設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)盡量減小熱回路的面積,以降低輻射 EMI。
LTC3896:適用于寬輸入電壓范圍(7 V 至 72 V)和高輸出電流的應(yīng)用。支持 300 kHz 至 1 MHz 的開(kāi)關(guān)頻率,提供高效率和低紋波性。
LTC7818:高性能三路輸出(降壓/降壓/升壓)同步 DC/DC 控制器,支持高達(dá) 3 MHz 的鎖相開(kāi)關(guān)頻率。適用于需要高效率和小尺寸的高壓應(yīng)。
TPS62125:可配置為反相降壓/升壓拓?fù)洌m用于運(yùn)算放大器或光學(xué)模塊偏置等應(yīng)用。
ADP1877:雙通道同步開(kāi)關(guān)控制器,適用于同步反相 SEPIC 拓?fù)洹>哂忻}沖跳躍模式,可提高小負(fù)載時(shí)的效。
如需以上產(chǎn)品規(guī)格書(shū)、樣片測(cè)試、采購(gòu)、BOM配單等需求,請(qǐng)加客服微信:13310830171。
反相降壓-升壓拓?fù)湓诟邏簯?yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì),特別是在需要生成負(fù)電壓軌的場(chǎng)景中。通過(guò)合理選擇電感值、優(yōu)化熱回路布局以及使用高性能電源管理芯片,可以實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電源設(shè)計(jì)。推薦的 LTC3896、LTC7818、TPS62125 和 ADP1877 等型號(hào),能夠滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求,幫助設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電源解決方案。