兆易創(chuàng)新于2025年3月12日發(fā)布了專為1.2V系統(tǒng)應(yīng)用設(shè)計(jì)的GD25NE系列雙電壓供電SPI NOR Flash產(chǎn)品，這一創(chuàng)新標(biāo)志著兆易在低功耗、高性能閃存解決方案領(lǐng)域的又一里程碑。GD25NE系列產(chǎn)品以其獨(dú)特的雙電壓供電方案，無需額外升壓電路即可與新一代1.2V SoC無縫集成，進(jìn)一步鞏固了兆易在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

高性能與低能耗兼得

GD25NE系列的核心供電電壓為1.8V，而其IO接口電壓則降至1.2V，支持多種傳輸模式（單通道、雙通道、四通道和雙沿四通道），最高時(shí)鐘頻率可達(dá)STR 133MHz，DTR 104MHz。這些技術(shù)特性使得GD25NE系列不僅能夠提供卓越的數(shù)據(jù)讀取速度和寫入效率，還大幅降低了功耗。例如，該系列產(chǎn)品的寫入時(shí)間典型值為0.15ms，扇區(qū)擦除時(shí)間為30ms，相比傳統(tǒng)1.2V單電壓供電Flash，數(shù)據(jù)讀取性能提升了20%，寫入速度提高了60%，擦除時(shí)間縮短了30%。

環(huán)保節(jié)能新選擇

為了滿足對(duì)能耗有嚴(yán)格要求的應(yīng)用場(chǎng)景，如智能穿戴設(shè)備、醫(yī)療健康監(jiān)測(cè)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)以及邊緣人工智能等，GD25NE系列特別優(yōu)化了電源架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了超低功耗運(yùn)行。其深度睡眠模式下的電流消耗僅為0.2μA，在高速讀寫操作下也能保持極低的功耗水平。特別是在雙沿四通道模式下以104MHz頻率工作時(shí)，讀取電流僅需9mA，擦寫電流不超過8mA。相較于傳統(tǒng)的1.8V Flash解決方案，GD25NE系列通過采用1.2V IO接口，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)50%的功耗降低。

市場(chǎng)前景廣闊

兆易創(chuàng)新副總裁蘇如偉表示：“GD25NE系列代表了雙電源SPI NOR Flash技術(shù)的新高度，它成功地將高性能與超低功耗結(jié)合在一起。”該系列產(chǎn)品不僅能適應(yīng)未來SoC技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)，還能有效提升各種嵌入式系統(tǒng)的整體效能。目前，GD25NE系列已覆蓋從32Mb至256Mb的不同容量需求，并提供了SOP16（300 mil）和BGA24（5×5 ball array）兩種封裝形式供客戶選擇。其中，256Mb版本的GD25NE256H已經(jīng)開始提供樣片，其他容量的產(chǎn)品也將陸續(xù)面市。

供貨情況

目前，兆易創(chuàng)新GD25NE系列可提供從32Mb到256Mb的多種容量選擇，并支持SOP16（300 mil）和BGA24（5×5 ball array）封裝選項(xiàng)。該系列首款產(chǎn)品——256Mb的GD25NE256H現(xiàn)已開始提供樣片。其余32Mb至128Mb容量的產(chǎn)品也將陸續(xù)推出。

如需GD25NE256H產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測(cè)試、采購、BOM配單等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。