數(shù)據(jù)中心追求高效電能轉(zhuǎn)換，以降低運(yùn)營(yíng)成本和碳排放。隨著平均功率密度的快速攀升——從十年前的每個(gè)1U機(jī)架5 kW增至現(xiàn)今的20至30 kW或更高——對(duì)高效率、緊湊設(shè)計(jì)的電源系統(tǒng)需求日益迫切。

為了響應(yīng)V3 (ORV3) 基本規(guī)范所設(shè)定的嚴(yán)格能效標(biāo)準(zhǔn)，如在30%到100%負(fù)載下實(shí)現(xiàn)97.5%以上的峰值效率，以及在輕載條件下達(dá)到最低94%的效率，電源拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)變得至關(guān)重要。特別是功率因數(shù)校正(PFC)階段，它對(duì)于確保符合EMC法規(guī)并滿足能效規(guī)范起著決定性作用。

“圖騰柱”P(pán)FC拓?fù)湟蚱涓咝У慕涣?直流轉(zhuǎn)換能力，成為數(shù)據(jù)中心3 kW至8 kW系統(tǒng)的首選方案。此拓?fù)渫ㄟ^(guò)采用寬禁帶半導(dǎo)體材料如碳化硅(SiC)制造的MOSFET來(lái)替代傳統(tǒng)的橋式整流器，從而顯著提高能效和功率密度。下圖是圖騰柱PFC拓?fù)洌?/p>

圖騰柱PFC拓?fù)洌ㄉ蠄D）

與傳統(tǒng)硅基超級(jí)結(jié)MOSFET相比，SiC MOSFET表現(xiàn)出更佳的高溫穩(wěn)定性和開(kāi)關(guān)性能。它們不僅減少了輸出電容中的能量存儲(chǔ)，降低了開(kāi)關(guān)損耗，而且具備更好的熱導(dǎo)率，能夠在更高的溫度下維持較低的導(dǎo)通電阻，從而減少導(dǎo)通損耗。

安森美的650V M3S EliteSiC MOSFET系列，包括NTBL032N065M3S和NTBL023N065M3S型號(hào)，以其卓越的開(kāi)關(guān)特性，大幅度提升了超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心PFC和LLC級(jí)的能效。該系列產(chǎn)品通過(guò)降低柵極電荷、EOSS和QOSS等參數(shù)，優(yōu)化了硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的性能，同時(shí)減少了熱量散發(fā)和開(kāi)關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)了更加高效的電源管理。

綜上所述，SiC MOSFET技術(shù)的進(jìn)步，為數(shù)據(jù)中心帶來(lái)了更為高效且環(huán)保的電源解決方案，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的重大進(jìn)步。

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