安世半導體憑借其在GaN HEMT高電子遷移率晶體管、SiC MOSFET、SiC二極管、IGBT和中低壓MOSFET等功率半導體器件領域的創(chuàng)新，正推動“光儲充”（光伏、儲能、充電）系統(tǒng)的性能達到新高度。這些先進的功率器件不僅提升了電源轉換效率，還為工業(yè)應用提供了高效、安全且易于集成的解決方案。

GaN HEMT：實現最高轉化能效

GaN FETs以其高臨界電場強度、高電子飽和速度與極高的電子遷移率為特點，在電源轉換拓撲中實現了卓越的能量轉化效率和功率密度。它們能夠顯著降低功耗/開關損失和系統(tǒng)成本，非常適合應用于光伏逆變器、儲能系統(tǒng)等高性能功率變換場景。安世半導體作為業(yè)內唯一一家同時提供級聯型（D-mode，Cascode）和增強型（E-mode）兩種類型GaN FETs的供應商，獨家推出的650V GaN FETs產品采用了CCPAK封裝，這一創(chuàng)新設計使得“光儲充”系統(tǒng)的轉化能效可提高至99%以上，開關頻率的理想值可達1 MHz以上。此外，CCPAK封裝相較于其他競品擁有更高的可靠性和更好的散熱性能，進一步鞏固了其市場競爭力。

SiC MOSFET：電動汽車轉型的關鍵

隨著電動汽車行業(yè)加速從400V轉向800V電池系統(tǒng)，以克服續(xù)航里程和充電速度的問題，SiC幾乎成為唯一的解決方案。對于800V電壓系統(tǒng)而言，需要1200V耐壓的功率芯片。安世半導體已成功研發(fā)出性能優(yōu)異的1200V SiC MOSFET，包括采用3引腳和4引腳TO-247封裝以及D2PAK-7 SMD封裝的產品系列。這些SiC MOSFET器件具備優(yōu)秀的導通電阻隨結溫上升的穩(wěn)定性、綜合品質因數FoM和閾值電壓穩(wěn)定性，降低了體二極管正向壓降，并減少了門極電荷，從而提高了抗噪聲能力。由于其支持更高的開關頻率，因此可以使用更小的磁性元件，減少系統(tǒng)發(fā)熱并降低成本。在光伏逆變器等高母線電壓應用中，SiC MOSFET簡化了拓撲結構，提高了效率，減少了器件數量和系統(tǒng)成本。

優(yōu)化工業(yè)應用的IGBT與SiC二極管

安世半導體的650V IGBT產品實現了低VCESAT及開關損耗，參數穩(wěn)定誤差小，易于并聯使用，具有優(yōu)秀的反向恢復能力和更低的工作溫度下的正向壓降。相比之下，安世半導體的SiC二極管則表現出超低正向壓降和出色的反向恢復特性，受溫度影響較小，并保持了基于混合式PIN-SiC二極管（MPS）的高魯棒性。這些特性使其成為工業(yè)應用中大電流處理的理想選擇，特別是在多管并聯方案中，安世半導體的SiC MOSFET憑借其業(yè)界領先的VGS(th)穩(wěn)定性，確保了動態(tài)均流的一致性，減少了單個器件承受的電流應力，延長了使用壽命。

中低壓MOSFET：新能源應用的核心支撐

安世半導體的中低壓MOSFET憑借行業(yè)領先的性能和廣泛的規(guī)格覆蓋，為新能源應用提供了強有力的支持。這些器件采用了創(chuàng)新的LFPAK銅夾片封裝，擁有超過400種料號，涵蓋了7種以上的不同封裝形式，適用于低壓功率轉換、充放電管理等多種應用場景。最新發(fā)布的NextPower 80/100V MOSFET系列產品，更是將ID(max)電流能力提升到了最高持續(xù)505A，峰值3558A，RDS(ON)低至0.67mΩ，同時提供了頂部和底部兩種散熱選項。該產品的發(fā)布進一步豐富了安世半導體的MOSFET組合，為高功率密度應用提供了更強的解決方案。

綜上所述，安世半導體通過其先進的功率器件技術和不斷的產品創(chuàng)新，正在為“光儲充”系統(tǒng)及其他工業(yè)應用帶來前所未有的性能提升和技術突破。無論是追求極致效率的光伏逆變器，還是強調可靠性的電動汽車OBC、充電樁，亦或是對系統(tǒng)成本敏感的工業(yè)電源開關，安世半導體的產品都能滿足最嚴格的應用需求，助力各行業(yè)實現更加綠色、高效的能源管理。

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