2024年12月12日，在深圳舉行的行家說三代半年會(huì)上，眾多行業(yè)內(nèi)上下游主流企業(yè)及精英齊聚一堂，共同探討行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，深化交流合作。安世半導(dǎo)體憑借其領(lǐng)先的“針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的CCPAK封裝GaN FET”產(chǎn)品，榮獲了「GaN年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)」，這一榮譽(yù)彰顯了其作為全球基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的實(shí)力，并展示了其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積累。

在同期舉辦的SiC & GaN技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新峰會(huì)上，成皓分享了《安世半導(dǎo)體GaN FET如何助力新能源行業(yè)創(chuàng)新》專題報(bào)告。他提到，隨著全球?qū)稍偕茉葱枨蟮脑鲩L(zhǎng)，氮化鎵（GaN）技術(shù)以其高效能和高頻率特性，逐漸成為提升新能源設(shè)備性能的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。安世半導(dǎo)體不僅能夠提供級(jí)聯(lián)型（Cascode）和增強(qiáng)型（e-mode）兩種類型的氮化鎵器件，還具備較低的反向恢復(fù)電荷、卓越的溫度穩(wěn)定性等優(yōu)勢(shì)，為新能源應(yīng)用提供了降本增效的解決方案。

針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的CCPAK封裝GaN FET

具體而言，安世半導(dǎo)體推出的GAN039-650NTB是一款具有33 mΩ典型值的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管，采用創(chuàng)新的CCPAK1212i頂部散熱封裝技術(shù)。這種封裝方式結(jié)合寬禁帶半導(dǎo)體與銅夾片封裝，開創(chuàng)了新時(shí)代的技術(shù)先河，特別適用于太陽能系統(tǒng)、家用熱泵等可再生能源應(yīng)用領(lǐng)域。此外，它也廣泛應(yīng)用于伺服驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)模式電源(SMPS)、服務(wù)器以及電信等行業(yè)。

GAN039-650NTB采用了級(jí)聯(lián)配置，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的開關(guān)和導(dǎo)通性能。其堅(jiān)固可靠的柵極結(jié)構(gòu)提高了噪聲容限，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程，使得這些器件可以由標(biāo)準(zhǔn)硅MOSFET驅(qū)動(dòng)器輕松驅(qū)動(dòng)，無需復(fù)雜控制電路。Nexperia的GaN技術(shù)不僅增強(qiáng)了開關(guān)穩(wěn)定性，還將裸片尺寸縮小約24%。該器件在25℃時(shí)的RDS(on)僅為33 mΩ（典型值），同時(shí)擁有較高的門極閾值電壓和較低的體二極管導(dǎo)通壓降，進(jìn)一步提升了整體性能。

通過不斷推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，安世半導(dǎo)體致力于為可持續(xù)發(fā)展應(yīng)用開發(fā)前沿器件技術(shù)，為工業(yè)和可再生能源市場(chǎng)注入新的活力。我司代理銷售安世半導(dǎo)體旗下全系列IC電子元器件，如需采購(gòu)、申請(qǐng)樣片測(cè)試、產(chǎn)品規(guī)格書等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。