在年度全球電子成就獎(jiǎng)（World Electronics Achievement Awards）的頒獎(jiǎng)典禮上，安世半導(dǎo)體憑借其1200 V SiC（碳化硅）MOSFET在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)，榮獲“年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎(jiǎng)”。這一獎(jiǎng)項(xiàng)不僅是對(duì)安世半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位的認(rèn)可，更是對(duì)其產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力和技術(shù)創(chuàng)新能力的高度肯定。安世半導(dǎo)體碳化硅高級(jí)產(chǎn)品經(jīng)理董建云代表公司出席了頒獎(jiǎng)典禮，并領(lǐng)取了這一榮譽(yù)獎(jiǎng)項(xiàng)。

全球電子成就獎(jiǎng)簡(jiǎn)介

全球電子成就獎(jiǎng)旨在表彰那些對(duì)推動(dòng)全球電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出杰出貢獻(xiàn)的企業(yè)和個(gè)人。獲獎(jiǎng)企業(yè)和產(chǎn)品均是各自領(lǐng)域的佼佼者，充分展示了他們?cè)谛袠I(yè)內(nèi)的領(lǐng)導(dǎo)地位和卓越表現(xiàn)。此次安世半導(dǎo)體的獲獎(jiǎng)，再次證明了其在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

獲獎(jiǎng)產(chǎn)品介紹

安世半導(dǎo)體于2024年5月推出的NSF030120D7A0是一款基于碳化硅的1200 V功率MOSFET。該產(chǎn)品采用了成熟的7引腳TO-263塑料封裝，適用于表面貼裝PCB技術(shù)。NSF030120D7A0在多個(gè)關(guān)鍵性能參數(shù)上表現(xiàn)出色，尤其是在RDS(on)溫度穩(wěn)定性和高開關(guān)速度方面。

RDS(on) 溫度穩(wěn)定性：RDS(on)是影響傳導(dǎo)功率損耗的關(guān)鍵參數(shù)。通過創(chuàng)新的工藝技術(shù)，Nexperia的SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的溫度穩(wěn)定性。在25℃至175℃的工作溫度范圍內(nèi)，RDS(on)的標(biāo)稱值僅增加了38%，遠(yuǎn)低于市場(chǎng)上的其他SiC器件。

高開關(guān)速度：NSF030120D7A0具備高開關(guān)速度，能夠顯著降低開關(guān)損耗，提高整體系統(tǒng)效率。

高短路耐用性：該產(chǎn)品具有出色的短路耐用性，能夠在極端條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行，確保系統(tǒng)的可靠性和安全性。

VGS(th)閾值電壓：NSF030120D7A0的VGS(th)閾值電壓器件間分布差異極低，這使得在并聯(lián)工作時(shí)，無論是在靜態(tài)還是動(dòng)態(tài)條件下，都能實(shí)現(xiàn)非常均衡的載流性能。

低體二極管正向電壓(VSD)：較低的體二極管正向電壓有助于提高器件的穩(wěn)健性和效率，同時(shí)還能放寬對(duì)異步整流和續(xù)流操作的死區(qū)時(shí)間要求。

如需NSF030120D7A0產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測(cè)試、采購(gòu)、BOM配單等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。

應(yīng)用領(lǐng)域

NSF030120D7A0因其出色的性能，特別適用于電動(dòng)汽車充電、基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。這些應(yīng)用對(duì)功率效率和系統(tǒng)可靠性要求極高，而NSF030120D7A0的卓越性能使其成為這些領(lǐng)域的首選產(chǎn)品。

未來展望

在IIC Shenzhen 2024同期舉行的高效電源管理及寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)論壇上，安世半導(dǎo)體碳化硅高級(jí)產(chǎn)品經(jīng)理董建云發(fā)表了關(guān)于Nexperia碳化硅技術(shù)的專題報(bào)告，詳細(xì)介紹了如何通過碳化硅技術(shù)賦能電氣化和綠色節(jié)能的未來。安世半導(dǎo)體將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新，推出更多高性能、高可靠性的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，為全球電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。