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熱搜關(guān)鍵詞:
在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)因其卓越的性能而備受關(guān)注。安森美作為該領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊,在確保碳化硅器件的關(guān)鍵特性——柵極氧化物完整性(GOI)方面,采取了一系列詳盡的質(zhì)量控制措施,為產(chǎn)品提供堅(jiān)實(shí)的保障。
為了保證碳化硅技術(shù)的穩(wěn)定性,安森美制定了嚴(yán)密的控制方法和工具,如控制計(jì)劃、統(tǒng)計(jì)過程控制(SPC)以及過程故障模式和影響分析(FMEA)。這些措施不僅確保了制造流程的精確性和一致性,還為后續(xù)的工藝改進(jìn)提供了數(shù)據(jù)支持。通過收集生產(chǎn)過程中的各種數(shù)據(jù),安森美能夠識(shí)別潛在的問題,并據(jù)此調(diào)整工藝參數(shù),以提高產(chǎn)品的可靠性和一致性。
襯底或外延層中的缺陷、金屬污染物及顆粒的存在對(duì)柵極氧化物的質(zhì)量有著直接的影響。為此,安森美不斷尋求工藝上的改進(jìn),力求減少這些因素帶來的負(fù)面影響。公司引入了先進(jìn)的清潔技術(shù)和材料處理方法,以降低雜質(zhì)含量,從而提升柵極氧化物的完整性和耐久性。此外,安森美還在不斷地研究新材料和技術(shù)的應(yīng)用,推動(dòng)碳化硅制造工藝向更高層次發(fā)展。
在晶圓廠加工過程中,安森美采用了多種掃描技術(shù),包括襯底掃描等,用于識(shí)別并標(biāo)記所有可能存在的缺陷。這不僅有助于排除有問題的產(chǎn)品,還能幫助工程師了解哪些環(huán)節(jié)可能出現(xiàn)工藝偏差。電氣篩選是另一個(gè)重要的質(zhì)量保證步驟,它涵蓋了從晶圓級(jí)性能驗(yàn)收、老化測(cè)試到芯片分類等多個(gè)層面。其中,動(dòng)態(tài)部件平均測(cè)試被用來剔除電氣異常值,確保每一片出廠的晶圓都經(jīng)過嚴(yán)格的100%自動(dòng)化檢查。
對(duì)于柵極氧化物質(zhì)量的評(píng)價(jià),安森美采用了一種更為精細(xì)的方法——失效電荷(QBD),這種方法不依賴于柵極氧化物的厚度,可以更準(zhǔn)確地反映其內(nèi)在性能。研究表明,非對(duì)稱平面碳化硅的本征QBD性能比硅高出50倍,顯示出其在擊穿電壓和壽命方面的顯著優(yōu)勢(shì)。通過對(duì)碳化硅MOSFET產(chǎn)品的QBD進(jìn)行采樣,并將其與大面積NMOS電容器對(duì)比,安森美能夠有效地監(jiān)控每個(gè)批次的柵極氧化物質(zhì)量,確保它們符合既定的標(biāo)準(zhǔn)。
在定義應(yīng)力條件時(shí),理解柵極氧化物的真實(shí)電流導(dǎo)通機(jī)制至關(guān)重要。安森美利用時(shí)間相關(guān)電介質(zhì)擊穿(TDDB)應(yīng)力測(cè)試來評(píng)估柵極氧化物的固有性能,結(jié)合Weibull統(tǒng)計(jì)分布,提取出產(chǎn)品的生命周期信息。傳統(tǒng)上,Arrhenius溫度加速度和柵極電壓E模型被廣泛應(yīng)用于加速壽命測(cè)試中,但安森美正在探索更加精準(zhǔn)的模型,旨在提供更為可靠的預(yù)測(cè)結(jié)果。
認(rèn)識(shí)到碳化硅在未來電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵作用,安森美投入了大量的資源進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)張和技術(shù)創(chuàng)新,致力于讓這一先進(jìn)技術(shù)更快地實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用。憑借從原材料到成品的全流程掌控能力,安森美確保了產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和可追溯性。同時(shí),公司在MOSFET和IGBT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)知識(shí),加上多年來在封裝技術(shù)上的大量投資,使得安森美能夠根據(jù)客戶需求,開發(fā)出高性能的EliteSiC產(chǎn)品組合。特別是在電動(dòng)汽車和工業(yè)市場(chǎng),安森美提供的系統(tǒng)級(jí)PLECS仿真工具,為客戶縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間,帶來了明顯的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
注:我司代理銷售安森美旗下全系列IC電子元器件,如需產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測(cè)試、采購、BOM配單等需求,請(qǐng)加客服微信:13310830171。