ST意法半導(dǎo)體引領(lǐng)電源技術(shù)創(chuàng)新，推動AI服務(wù)器電源向更高功率密度發(fā)展

來源：ST意法半導(dǎo)體| 發(fā)布日期：2024-12-15 18:00:02 瀏覽量：

隨著科技的進(jìn)步和市場需求的變化，電源技術(shù)也在不斷革新。去年，電源廠商的主要焦點(diǎn)是3千瓦ORv3的設(shè)計(jì)；而今年，這一目標(biāo)已提升至5.5千瓦，同時M-CRPS服務(wù)器電源在3千瓦功率水平上也展現(xiàn)出了不同的平臺特色。其中，ORv3主要支持Nvidia的開放機(jī)架平臺，因此其設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于提高功率輸出；相比之下，M-CRPS則更注重于提升功率密度。

第三代半導(dǎo)體材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），輔以ST意法半導(dǎo)體的電隔離柵極驅(qū)動器STGAP，在這些領(lǐng)域中扮演了至關(guān)重要的角色。尤其是在高頻應(yīng)用方面，它們能夠顯著改善效率并減少損耗。此外，STM32微控制器單元（MCU）通過智能控制電力分配，可以實(shí)時適應(yīng)負(fù)載波動，從而進(jìn)一步優(yōu)化性能。

ST意法半導(dǎo)體引領(lǐng)電源技術(shù)創(chuàng)新推動AI服務(wù)器電源向更高功率密度發(fā)展

對于AI服務(wù)器而言，第三代半導(dǎo)體的重要性尤為突出。它不僅能夠在高頻下穩(wěn)定工作，還為AI服務(wù)器的發(fā)展提供了巨大潛力。目前市場上已經(jīng)出現(xiàn)了探索8千瓦、8.5千瓦甚至10千瓦或12千瓦等更高功率輸出的設(shè)計(jì)案例。值得注意的是，盡管功率大幅增加，但這些高功率設(shè)計(jì)并未導(dǎo)致體積增大，這意味著在相同的物理空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度。

當(dāng)功率密度得到提升后，如何有效管理熱量成為另一個關(guān)鍵挑戰(zhàn)。在此背景下，碳化硅因其出色的耐高溫特性，在高功率密度及高溫操作環(huán)境中獲得了廣泛應(yīng)用。與此同時，氮化鎵憑借其在多相轉(zhuǎn)換架構(gòu)中的優(yōu)勢，有助于縮小尺寸并提高密度，預(yù)計(jì)將在未來發(fā)揮更加重要的作用。隨著被動元件技術(shù)的進(jìn)步，電源設(shè)計(jì)將從單相擴(kuò)展到多相轉(zhuǎn)換架構(gòu)，這將進(jìn)一步促進(jìn)電源系統(tǒng)的緊湊性和高效性。

總之，隨著第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用以及相關(guān)技術(shù)的不斷發(fā)展，AI服務(wù)器電源正朝著更高功率、更小尺寸和更好散熱的方向邁進(jìn)，而ST意法半導(dǎo)體將繼續(xù)在這場變革中扮演領(lǐng)導(dǎo)者的角色。

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