幾十年來，硅（Si）一直是半導體行業(yè)的主要材料，但隨著汽車和可再生能源等領域對現(xiàn)代電力需求應用的發(fā)展，硅的局限性日益顯現(xiàn)。寬禁帶（WBG）材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），因其更高的電壓、頻率和溫度工作能力，被視為解決之道。SiC的禁帶寬度為3.3eV，遠高于硅的1.1eV，使其在高壓、大功率應用中表現(xiàn)出色。

碳化硅（SiC）的優(yōu)勢

碳化硅（SiC）并非新鮮事物，但其在高壓、大功率應用中的優(yōu)越特性使其逐漸嶄露頭角。SiC的高熱導率、高飽和電子漂移速度和高擊穿電場，使得SiC設計相比硅MOSFET或IGBT具有更低的損耗、更快的開關速度和更小的幾何尺寸。這些特性使其在電動汽車（EV）、太陽能逆變器和固態(tài)變壓器等應用中具有顯著優(yōu)勢。

制造挑戰(zhàn)

SiC的制造面臨諸多挑戰(zhàn)。首先，SiC晶錠需要在高溫下通過氣相技術（升華法）生長，每小時生長速度僅為0.5毫米。此外，SiC的極端硬度使得切割晶圓非常困難。盡管如此，安森美公司已能夠常規(guī)生產(chǎn)8英寸的SiC襯底。支持研究

安森美認識到學術界在半導體技術發(fā)展中的重要性，正在多個領域開展研究，包括對宇宙射線的抗擾性、柵極氧化物的固有壽命建模等。公司還出資800萬美元，與賓夕法尼亞州立大學（PSU）的安森美碳化硅晶體中心（SiC3）進行戰(zhàn)略合作，并與歐洲其他六家教育機構合作，推動SiC技術的發(fā)展。

安森美的制造優(yōu)勢

安森美為SiC器件提供了完全集成的供應鏈，從晶錠生長到最終產(chǎn)品封裝，全面控制每個環(huán)節(jié)和相關質量。這種垂直整合的供應鏈不僅有助于提高產(chǎn)量和控制成本，還能確保生產(chǎn)出零缺陷的高可靠性產(chǎn)品。

成功的五個步驟

安森美采用五步方法應對SiC的特定挑戰(zhàn)，包括控制、改進、測試和篩選、特性描述和鑒定。這些步驟確保了柵極氧化物的完整性和可靠性，從而提高了SiC器件的整體性能和壽命。

安森美SiC的不同之處

安森美深知碳化硅在未來電力電子領域的關鍵作用，特別是在汽車和可再生能源等領域的電力轉換應用。公司的垂直整合供應鏈不僅控制了成本，還確保了向汽車和工業(yè)制造商提供零缺陷的產(chǎn)品。通過持續(xù)的投資和創(chuàng)新，安森美致力于推動SiC技術的快速發(fā)展，滿足現(xiàn)代電力應用的需求。我司代理銷售安森美旗下全系列IC電子元器件，如需采購、申請樣片測試、產(chǎn)品規(guī)格書等需求，請加客服微信：13310830171。