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英飛凌科技近日發(fā)布了一款全新的3300W無橋圖騰柱PFC(功率因數(shù)校正)參考設計——REF_3K3W_TP_SIC_TOLL。這款參考設計集成了英飛凌的高性能功率半導體、驅動器和微控制器,專為高端應用而設計,這些應用對效率和功率密度有著極高的要求。
REF_3K3W_TP_SIC_TOLL采用創(chuàng)新的無橋圖騰柱拓撲結構,顯著減少了元件數(shù)量,并通過優(yōu)化PFC電感器和功率開關的使用,實現(xiàn)了高功率密度,同時保持了較低的系統(tǒng)成本。這種設計不僅簡化了電路布局,還提升了整體系統(tǒng)的可靠性和性能。
1EDB8275F 和 1EDB9275F:EiceDRIVER?單通道隔離柵極驅動器。
BAT 165 E6327:肖特基二極管。
ICE5QSAG:CoolSET?準諧振控制器。
IMT65R048M1H:650V CoolSiC? MOSFET,采用TOLL封裝。
IPT60R022S7:CoolMOS? S7超結MOSFET。
IPU95R3K7P7:CoolMOS? P7系列MOSFET。
XMC1402-Q040X0064 AA:基于ARM? Cortex-M0?的XMC? 32位微控制器。
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基于碳化硅的圖騰柱PFC:利用CoolSiC?和CoolMOS?技術,實現(xiàn)最高效率。
高功率密度SMD設計:緊湊的外形設計,適合空間受限的應用。
數(shù)字控制:由XMC1402微控制器實現(xiàn)全數(shù)字控制,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和靈活性。
完整的解決方案:提供從半導體到驅動器和微控制器的一站式解決方案。
高效率:在1650瓦、50%負載條件下,峰值效率高達98.9%。
緊湊型設計:功率密度達到80W/in3,外形尺寸為1U。
減少元件數(shù)量:簡化電路設計,降低制造成本。
高效能:REF_3K3W_TP_SIC_TOLL的峰值效率高達98.9%,適用于高功率密度的應用。
緊湊外形:采用TOLL封裝的CoolSiC? MOSFET 650V G1和600V CoolMOS? MOSFET,結合CoolSiC?和CoolMOS?技術,實現(xiàn)高性能和緊湊設計。
全數(shù)字控制:通過XMC? 1000系列微控制器實現(xiàn)全數(shù)字控制,不僅在穩(wěn)態(tài)條件下表現(xiàn)出色,還能滿足電源線干擾和掉電保持時間的要求。
電信基礎設施:適用于交流-直流功率轉換,提高能源效率。
電池充電器:適用于各種類型的電池充電器,包括電動汽車充電站。
電動汽車充電:支持快速充電站的高功率需求。
功率轉換:適用于需要高效率和高功率密度的工業(yè)和消費電子應用。
服務器電源:為數(shù)據(jù)中心和服務器提供高效可靠的電源解決方案。
總之,英飛凌的REF_3K3W_TP_SIC_TOLL參考設計憑借其卓越的效率、緊湊的設計和高度集成的解決方案,為高端應用提供了強大的技術支持。無論是電信基礎設施、電動汽車充電還是服務器電源,該設計都能滿足最苛刻的應用需求。