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安森美說:硅基 IGBT 到 SiC MOSFET轉(zhuǎn)換時機與市場趨勢

來源:安森美| 發(fā)布日期:2024-09-20 09:51:51 瀏覽量:

業(yè)界一直在討論從傳統(tǒng)的硅基 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)完全切換到 SiC(碳化硅)MOSFET 的時機是否已經(jīng)成熟。安森美半導(dǎo)體認為,目前全面轉(zhuǎn)向 SiC MOSFET 還為時過早。SiC 替代 IGBT 的主要邏輯在于系統(tǒng)的性價比。SiC 器件以其高速、高溫特性及低開關(guān)損耗等優(yōu)點,在整體系統(tǒng)效率上優(yōu)于 IGBT。

SiC MOSFET 的優(yōu)勢

- 速度:SiC 器件的開關(guān)速度更快,可以顯著提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度。

- 高溫特性:SiC 材料具有更好的高溫穩(wěn)定性,能夠在更高的溫度下工作。

- 低開關(guān)損耗:SiC 器件在開關(guān)過程中產(chǎn)生的損耗更低,從而提高了系統(tǒng)的整體效率。

這些特性使得 SiC 在許多應(yīng)用中表現(xiàn)出比 IGBT 更高的效率。系統(tǒng)效率的提升帶來的經(jīng)濟收益或其他方面的收益超過了 SiC 替代 IGBT 所帶來的成本上升,因此客戶愿意采用 SiC 技術(shù)。

安森美說:硅基 IGBT 到 SiC MOSFET轉(zhuǎn)換時機與市場趨勢

應(yīng)用領(lǐng)域

目前,SiC 器件已經(jīng)在多個領(lǐng)域得到應(yīng)用,尤其是在高壓應(yīng)用中,如新能源汽車、充電樁、開關(guān)電源、鐵路/高鐵牽引系統(tǒng)(1.7KV-3.3KV)、光伏等領(lǐng)域。在車載大功率電源應(yīng)用中,如 OBC(車載充電器)、高壓轉(zhuǎn)低壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和電驅(qū)系統(tǒng)中,SiC 器件已經(jīng)顯示出明顯的性能優(yōu)勢。

成本與選擇

在不考慮成本的情況下,SiC 是更優(yōu)的選擇。但在實際應(yīng)用中,成本是一個重要因素。對于 650V 和 750V 耐壓的應(yīng)用,SiC 適合追求更高效率和更高功率密度的中高端需求,而 IGBT 則更適合對購置成本敏感的應(yīng)用。

在高壓電驅(qū)應(yīng)用中,SiC 已成為大功率電驅(qū)系統(tǒng)的主流選擇,而 IGBT 仍然用于追求性價比的中低功率電驅(qū)應(yīng)用。在某些高壓雙電驅(qū)系統(tǒng)中,甚至?xí)霈F(xiàn) SiC 和 IGBT “高低搭配”的整車系統(tǒng)。雖然 SiC MOSFET 在某些領(lǐng)域與 IGBT 存在競爭關(guān)系,但更多的是作為互補存在,特別是在高壓、高效率的應(yīng)用場景中,SiC MOSFET 展現(xiàn)出明顯的優(yōu)勢。

未來發(fā)展趨勢

安森美認為,SiC 技術(shù)和產(chǎn)業(yè)鏈將在以下幾個方面持續(xù)演進:

1. 市場規(guī)模擴大:預(yù)計未來幾年內(nèi),SiC 功率器件的市場規(guī)模將持續(xù)增長,并保持高速增長態(tài)勢。

2. 8 英寸晶圓技術(shù):隨著 8 英寸晶圓技術(shù)的成熟和成本的降低,SiC 器件的市場主流將從 6 英寸轉(zhuǎn)向 8 英寸。

3. 產(chǎn)品性能優(yōu)化:通過不斷改進 SiC MOSFET 的結(jié)構(gòu)(如從 M1 系列到 M3S 系列),減少導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗,提高器件的工作效率和可靠性,以滿足新能源汽車、充電樁、光伏新能源等領(lǐng)域的高要求。

產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展

隨著 SiC 技術(shù)的成熟和市場需求的增長,規(guī)模化生產(chǎn)將成為 SiC 產(chǎn)業(yè)鏈的重要發(fā)展方向。未來,SiC 產(chǎn)業(yè)鏈將更加注重垂直整合和協(xié)同合作。通過整合上下游資源,實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈的優(yōu)化配置,提高整體競爭力。隨著 SiC 技術(shù)的進步和成本的降低,SiC 產(chǎn)業(yè)鏈將拓展到更多應(yīng)用領(lǐng)域。

政策支持

各國政府將繼續(xù)加大對 SiC 產(chǎn)業(yè)的政策支持力度,包括資金扶持、稅收優(yōu)惠、人才培養(yǎng)等方面。這將有助于推動 SiC 產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,形成完善的產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。

總之,雖然 SiC MOSFET 在許多應(yīng)用中已經(jīng)顯示出顯著的優(yōu)勢,但全面替代 IGBT 仍需時間。隨著技術(shù)的進步和成本的降低,SiC 將在未來幾年內(nèi)逐步擴展其市場份額,并在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。如需安森美產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求,請加客服微信:13310830171。

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