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英飛凌近日宣布推出了1200V的62mm CoolSiC? MOSFET半橋模塊，該模塊采用了M1H芯片技術(shù)，顯著提升了在VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口等方面的性能。新規(guī)格為2.9mΩ 1200V，用戶可根據(jù)需求選擇帶或不帶熱界面材料(TIM)的產(chǎn)品。
該系列產(chǎn)品包括FF3MR12KM1H 2.9mΩ、1200V 62mm半橋模塊，以及FF3MR12KM1HP 2.9mΩ、1200V 62mm半橋模塊，預(yù)涂TIM。產(chǎn)品特點(diǎn)包括集成體二極管，優(yōu)化了熱阻，柵極氧化層可靠性突出，具備抗宇宙射線能力強(qiáng)的特點(diǎn)。
該模塊針對(duì)應(yīng)用苛刻條件進(jìn)行了優(yōu)化，具有更低的電壓過(guò)沖、最小的導(dǎo)通損耗以及高速開(kāi)關(guān)、極低損耗的優(yōu)點(diǎn)。對(duì)稱模塊設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了對(duì)稱的上下橋臂開(kāi)關(guān)行為，標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝技術(shù)保證了可靠性。此外，生產(chǎn)線采用62毫米高產(chǎn)量生產(chǎn)線生產(chǎn)。
英飛凌此次推出的產(chǎn)品在碳化硅擴(kuò)展成熟的62毫米封裝產(chǎn)品基礎(chǔ)上，以滿足快速開(kāi)關(guān)和低損耗需求。該產(chǎn)品具備電流密度最高、防潮性能強(qiáng)等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
這款模塊適用于多個(gè)領(lǐng)域，包括儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、光伏逆變器以及UPS等應(yīng)用場(chǎng)景。如需產(chǎn)品規(guī)格書(shū)、樣片測(cè)試、采購(gòu)、BOM配單等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。
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