近日，意法半導(dǎo)體（ST）宣布推出一項(xiàng)基于18納米全耗盡絕緣體上硅（FD-SOI）技術(shù)并整合嵌入式相變存儲(chǔ)器（ePCM）的先進(jìn)制造工藝，旨在支持下一代嵌入式處理器的升級(jí)進(jìn)化。這一創(chuàng)新工藝是意法半導(dǎo)體與三星晶圓代工廠共同開(kāi)發(fā)的，旨在實(shí)現(xiàn)嵌入式處理應(yīng)用性能和功耗的巨大飛躍，同時(shí)能夠集成更大容量的存儲(chǔ)器和更多模擬和數(shù)字外設(shè)。首款基于這一新技術(shù)的下一代STM32微控制器產(chǎn)品將于2024年下半年開(kāi)始向部分客戶提供樣品，預(yù)計(jì)2025年下半年將進(jìn)行量產(chǎn)。

Remi El-Ouazzane，意法半導(dǎo)體微控制器、數(shù)字IC和射頻產(chǎn)品部總裁表示：“作為半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新領(lǐng)軍企業(yè)，意法半導(dǎo)體率先推出汽車級(jí)和航天級(jí)FD-SOI和PCM技術(shù)，讓工業(yè)應(yīng)用開(kāi)發(fā)者也能享受到這些先進(jìn)技術(shù)帶來(lái)的諸多好處。”

技術(shù)優(yōu)勢(shì)方面，18納米FD-SOI制造工藝集成ePCM相較于目前使用的ST 40nm嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（eNVM）技術(shù)，帶來(lái)了以下關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：

1. 性能功耗比提高50%以上；

2. 非易失性存儲(chǔ)器（NVM）密度是現(xiàn)有技術(shù)的2.5倍，可實(shí)現(xiàn)更大容量的存儲(chǔ)器集成；

3. 數(shù)字電路密度是現(xiàn)有技術(shù)的三倍，可集成人工智能、圖形加速器等數(shù)字外設(shè)，以及先進(jìn)的安全保護(hù)功能；4. 噪聲系數(shù)改善3dB，增強(qiáng)了無(wú)線MCU的射頻性能。

該工藝的工作電源電壓為3V，可為電源管理、復(fù)位系統(tǒng)、時(shí)鐘源和數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器等模擬功能供電，是20納米以下唯一支持此功能的半導(dǎo)體工藝技術(shù)。此外，該技術(shù)經(jīng)過(guò)汽車市場(chǎng)驗(yàn)證，具有耐高溫工作、輻射硬化和數(shù)據(jù)保存期限長(zhǎng)的特點(diǎn)，能夠滿足工業(yè)應(yīng)用對(duì)可靠性的嚴(yán)格要求。

這一具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)將為開(kāi)發(fā)人員帶來(lái)新型高性能、低功耗、無(wú)線MCU。大存儲(chǔ)容量將支持市場(chǎng)對(duì)邊緣人工智能處理、多射頻協(xié)議棧、無(wú)線更新和高級(jí)安全功能的不斷增長(zhǎng)需求。高處理性能和大存儲(chǔ)容量將鼓勵(lì)開(kāi)發(fā)者轉(zhuǎn)向集成度更高、成本效益更高的微控制器。首款基于該技術(shù)的微控制器將集成ARM最先進(jìn)的Cortex-M內(nèi)核，為機(jī)器學(xué)習(xí)和數(shù)字信號(hào)處理應(yīng)用提供更強(qiáng)大的運(yùn)算性能，并具備快速、靈活的外部存儲(chǔ)器接口、先進(jìn)的圖形功能以及眾多模擬和數(shù)字外設(shè)。如需采購(gòu)意法半導(dǎo)體微控制器等產(chǎn)品、申請(qǐng)樣片測(cè)試、BOM配單等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。