英偉達(dá)將從三星電子購買12層HBM3E內(nèi)存，黃仁勛親自認(rèn)證

來源：網(wǎng)絡(luò)| 發(fā)布日期：2024-03-26 15:48:55 瀏覽量：

最新報(bào)道顯示，英偉達(dá)計(jì)劃從今年9月開始大規(guī)模采購三星電子生產(chǎn)的12層HBM3E內(nèi)存，后者將獨(dú)家向英偉達(dá)供應(yīng)這一創(chuàng)新產(chǎn)品。在最近舉行的GTC 2024大會(huì)上，英偉達(dá)公司的首席執(zhí)行官黃仁勛（Jensen Huang）甚至在三星電子的12層HBM3E實(shí)物產(chǎn)品上簽下了“黃仁勛認(rèn)證（Jensen Approved）”的名字。與此同時(shí)，由于一些工程問題，SK海力士未能推出12層HBM3E產(chǎn)品，但他們計(jì)劃從本月末開始批量生產(chǎn)8層HBM3E產(chǎn)品。

三星獨(dú)家供應(yīng)英偉達(dá)12層HBM3E內(nèi)存

今年2月27日，三星電子宣布成功研發(fā)出業(yè)界首款36GB 12層HBM3E DRAM內(nèi)存。據(jù)介紹，HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的帶寬和史無前例的36GB容量，相較于8層HBM3 8H內(nèi)存，其帶寬和容量提升超過50%。

此外，與8層堆疊相比，12層HBM3E內(nèi)存的AI訓(xùn)練速度平均提高了34%，同時(shí)推理服務(wù)用戶數(shù)量也可以增加超過11.5倍。

在之前的GTC 2024大會(huì)上，英偉達(dá)正式發(fā)布了B200和GB200系列芯片。據(jù)黃仁勛介紹，B200芯片擁有2080億個(gè)晶體管，采用臺(tái)積電4NP工藝制程，能夠支持高達(dá)10萬億個(gè)參數(shù)的AI大模型，并且單個(gè)GPU就能提供20 petaflops的AI性能。

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