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三星電子發(fā)布容量最大的HBM產品HBM3E 12H,助力人工智能應用

來源:三星電子| 發(fā)布日期:2024-03-07 14:00:02 瀏覽量:

三星電子最近宣布成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這也是三星目前容量最大的HBM產品。公司已開始向客戶提供HBM3E 12H樣品,計劃于今年下半年開始大規(guī)模量產。

據介紹,三星HBM3E 12H支持全天候最高帶寬達1280GB/s,產品容量達到36GB。相較于三星8層堆疊的HBM3 8H,HBM3E 12H在帶寬和容量上提升超過50%。預計在人工智能應用中,HBM3E 12H可使人工智能訓練平均速度提升34%,同時推理服務用戶數量也可增加超過11.5倍。

三星電子發(fā)布容量最大的HBM產品HBM3E 12H

HBM3E 12H采用了先進的熱壓非導電薄膜(TC NCF)技術,確保12層和8層堆疊產品的高度保持一致,以滿足當前HBM封裝的需求。據悉,HBM3E 12H產品的垂直密度比HBM3 8H產品提高了20%以上。

三星電子存儲器產品企劃團隊執(zhí)行副總裁Yongcheol Bae表示,當前人工智能服務供應商對更高容量的HBM需求日益增長,新產品HBM3E 12H正是為滿足這需求而設計。這一新的存儲解決方案展示了公司在多層堆疊HBM核心技術研發(fā)方面的努力,為高容量HBM市場在人工智能時代提供技術領導力。

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