Vishay威世發(fā)布新型80V雙通道N溝道功率MOSFET SiZF4800LDT：提高功率密度和能效

來源：Vishay官網(wǎng)| 發(fā)布日期：2024-03-08 10:26:52 瀏覽量：

Vishay最近推出了一款新型80V雙通道N溝道功率MOSFET，該器件將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET結(jié)合在3.3mm x 3.3mm的PowerPAIR? 3 x 3FS單體封裝中。這款Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換，旨在提高功率密度和能效，增強熱性能，減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計。

Vishay威世發(fā)布新型80V雙通道N溝道功率MOSFET

這款雙通道MOSFET可用來替代兩個PowerPAK 1212封裝的分立器件，從而節(jié)省了50%的基板空間。SiZF4800LDT為設(shè)計人員提供了節(jié)省空間的解決方案，適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點（POL）轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器半橋和全橋功率級等應(yīng)用領(lǐng)域，包括無線電基站、工業(yè)電機驅(qū)動、焊接設(shè)備和電動工具。在這些應(yīng)用中，SiZF4800LDT的高低邊MOSFET提供了50%的占空比優(yōu)化組合，同時在4.5V下邏輯電平導(dǎo)通，簡化了電路驅(qū)動。

為了提高功率密度，該MOSFET在4.5V條件下的導(dǎo)通電阻典型值降至18.5mΩ，達到了業(yè)內(nèi)先進水平，比相同封裝尺寸的最接近競品器件低16%。SiZF4800LDT的低導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積（即MOSFET功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的重要優(yōu)值系數(shù)）為131mΩ*nC，提高了高頻開關(guān)應(yīng)用的效率。

該器件采用了倒裝芯片技術(shù)，增強了散熱能力，熱阻比競品MOSFET低54%。SiZF4800LDT的導(dǎo)通電阻和熱阻都很低，連續(xù)漏電流達到了36A，比接近的競品器件高出了38%。MOSFET獨特的引腳配置有助于簡化PCB布局，支持縮短開關(guān)回路，從而減小寄生電感。SiZF4800LDT經(jīng)過100% Rg 和 UIS測試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。

競品對比表

Vishay威世發(fā)布新型80V雙通道N溝道功率MOSFET競品對比表