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ROHM推出新一代Power Stage IC，集成GaN HEMT和柵極驅(qū)動器

來源：ROHM| 發(fā)布日期：2023-07-20 09:53:44 瀏覽量：

日本半導體制造商ROHM推出了一款集成了650V GaN HEMT和柵極驅(qū)動器的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB），面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費電子設(shè)備的一次側(cè)電源。

ROHM推出新一代Power Stage IC，集成GaN HEMT和柵極驅(qū)動器

隨著對消費電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件受到了廣泛關(guān)注。然而，與Si MOSFET相比，GaN HEMT的柵極處理很難，必須與驅(qū)動柵極用的驅(qū)動器結(jié)合使用。ROHM結(jié)合所擅長的功率和模擬兩種核心技術(shù)優(yōu)勢，開發(fā)出了這款集功率半導體——GaN HEMT和模擬半導體——柵極驅(qū)動器于一體的Power Stage IC。該產(chǎn)品的問世使得被稱為“下一代功率半導體”的GaN器件輕松實現(xiàn)安裝。

新產(chǎn)品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能夠更大程度地激發(fā)出GaN HEMT性能的專用柵極驅(qū)動器、新增功能以及外圍元器件。另外，新產(chǎn)品支持更寬的驅(qū)動電壓范圍（2.5V～30V），擁有支持一次側(cè)電源各種控制器IC的性能，因此可以替換現(xiàn)有的Si MOSFET。與Si MOSFET相比，該產(chǎn)品的器件體積可減少約99%，功率損耗可降低約55%，因此可同時實現(xiàn)更低損耗和更小體積。

新產(chǎn)品已于2023年6月開始量產(chǎn)。

＜ROHM新品型號＞

新產(chǎn)品支持更寬的驅(qū)動電壓范圍（2.5V～30V），而且傳輸延遲短、啟動時間快，因此支持一次側(cè)電源中的各種控制器IC。

BM3G015MUV-LBVe  VeBM3G007MUV-LB 

ROHM推出新一代Power Stage IC，集成GaN HEMT和柵極驅(qū)動器

＜ROHM新品應(yīng)用領(lǐng)域＞

適用于內(nèi)置一次側(cè)電源（AC-DC或PFC電路）的各種應(yīng)用。

消費電子：白色家電、AC適配器、電腦、電視、冰箱、空調(diào)

工業(yè)設(shè)備：服務(wù)器、OA設(shè)備。

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