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ROHM推出新一代Power Stage IC，集成GaN HEMT和柵極驅動器

來源：ROHM| 發(fā)布日期：2023-07-20 09:53:44 瀏覽量：

日本半導體制造商ROHM推出了一款集成了650V GaN HEMT和柵極驅動器的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB），面向數據服務器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源。

ROHM推出新一代Power Stage IC，集成GaN HEMT和柵極驅動器

隨著對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節(jié)能要求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現器件小型化的器件受到了廣泛關注。然而，與Si MOSFET相比，GaN HEMT的柵極處理很難，必須與驅動柵極用的驅動器結合使用。ROHM結合所擅長的功率和模擬兩種核心技術優(yōu)勢，開發(fā)出了這款集功率半導體——GaN HEMT和模擬半導體——柵極驅動器于一體的Power Stage IC。該產品的問世使得被稱為“下一代功率半導體”的GaN器件輕松實現安裝。

新產品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能夠更大程度地激發(fā)出GaN HEMT性能的專用柵極驅動器、新增功能以及外圍元器件。另外，新產品支持更寬的驅動電壓范圍（2.5V～30V），擁有支持一次側電源各種控制器IC的性能，因此可以替換現有的Si MOSFET。與Si MOSFET相比，該產品的器件體積可減少約99%，功率損耗可降低約55%，因此可同時實現更低損耗和更小體積。

新產品已于2023年6月開始量產。

＜ROHM新品型號＞

新產品支持更寬的驅動電壓范圍（2.5V～30V），而且傳輸延遲短、啟動時間快，因此支持一次側電源中的各種控制器IC。

BM3G015MUV-LBVe  VeBM3G007MUV-LB 

ROHM推出新一代Power Stage IC，集成GaN HEMT和柵極驅動器

＜ROHM新品應用領域＞

適用于內置一次側電源（AC-DC或PFC電路）的各種應用。

消費電子：白色家電、AC適配器、電腦、電視、冰箱、空調

工業(yè)設備：服務器、OA設備。

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