FDV301N是ONSemiconductor一款低電壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管。代理銷售ON安森美半導(dǎo)體旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能將為大家提供FDV301N中文資料：中文參數(shù)詳解、功能特點(diǎn)及產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域。

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一、FDV301N中文參數(shù)詳解

包裹：卷帶式 (TR) 切帶式 (CT)

零件狀態(tài)：積極的

場(chǎng)效應(yīng)管類型：N溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓 (Vdss)：25V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25°C：220mA（塔）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大導(dǎo)通電阻、最小導(dǎo)通電阻）：2.7V、4.5V

Rds On（最大）@Id、Vgs：4歐姆@400mA，4.5V

Vgs(th)（最大值）@Id：1.06V@250μA

柵極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs：0.7nC@4.5V

Vgs（最大）：±8V

輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds：9.5pF@10V

場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn)：-

功耗（最大）：350毫瓦（塔）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（太焦）

安裝類型：表面貼裝

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23

包裝/箱：TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

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二、FDV301N功能特點(diǎn)

1.低電壓操作：適用于低電壓應(yīng)用。

2.高性能：具有良好的開關(guān)特性和低電阻。

3.SOT-23封裝：常見的小型封裝，易于集成到各種電路板中。

三、FDV301N應(yīng)用領(lǐng)域

-電路保護(hù)：用于開關(guān)電路的保護(hù)和控制。

-低壓控制：可以作為低電壓控制器的一部分。

-信號(hào)處理：在各種信號(hào)處理電路中有著廣泛的應(yīng)用。

-便攜式設(shè)備：適用于便攜式電子設(shè)備中的功率管理和控制電路。

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