IXFH80N65X2是Littelfuse/IXYS公司一款N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），具有較高的耐壓能力和低導(dǎo)通電阻。它適用于高壓、高頻和高溫應(yīng)用環(huán)境，具有良好的開關(guān)特性和熱特性。。代理銷售現(xiàn)貨供應(yīng)Littelfuse/IXYS旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能將為大家提供IXFH80N65X2中文參數(shù)、功能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域。

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一、IXFH80N65X2中文參數(shù)

制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購）

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：HiPerFET

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：80A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：40 毫歐 @ 40A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 4mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：143nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：8245pF @ 25V

功率耗散（最大值）：890W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：TO-247

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二、IXFH80N65X2功能特點(diǎn)

1. 高耐壓能力：IXFH80N65X2具有較高的耐壓能力，適用于高壓應(yīng)用場合。

2. 低導(dǎo)通電阻：具有低導(dǎo)通電阻，能夠降低功率損耗和提高效率。

3. 高頻特性：適用于高頻開關(guān)電源和變換器等應(yīng)用。

4. 高溫特性：具有良好的熱特性，適用于高溫環(huán)境下的工作。

5. 封裝形式：IXFH80N65X2采用TO-247封裝，便于散熱和安裝。

三、IXFH80N65X2應(yīng)用領(lǐng)域

IXFH80N65X2廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

1. 電力電子：用于高壓開關(guān)電源、逆變器、變換器等電力電子設(shè)備。

2. 工業(yè)控制：用于高壓、高頻開關(guān)電源和驅(qū)動器等工業(yè)控制設(shè)備。

3. 汽車電子：用于汽車電子系統(tǒng)中的高壓電源管理和驅(qū)動控制。

4. 太陽能逆變器：用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)的逆變器和功率調(diào)節(jié)器。