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HGTG5N120BND是onsemi(安森美)一款I(lǐng)GBT管/模塊,代理銷售onsemi(安森美)旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您提供HGTG5N120BND中文參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊及現(xiàn)貨。
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系列:IGBT管/模塊
產(chǎn)品系列:-
零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計
IGBT類型:NPT
電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
電流-集電極(Ic)(最大值):21A
電流-集電極脈沖(Icm):40A
不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,5A
功率-最大值:167W
開關(guān)能量:450μJ(開),390μJ(關(guān))
輸入類型:標準
柵極電荷:53nC
25°C時Td(開/關(guān))值:22ns/160ns
測試條件:960V,5A,25 歐姆,15V
反向恢復(fù)時間(trr):65ns
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝:TO-247-3
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工程師根據(jù)產(chǎn)品應(yīng)用,深度分析產(chǎn)品需求,進行個性化功能定制,提高產(chǎn)品性能
提供性價比初期選型指導(dǎo)及高品質(zhì)IC芯片應(yīng)用方案,成本比同行方案大大節(jié)省費用
常年備貨RENESAS(瑞薩)/IDT、Xilinx、Infineon、TI、AOS、中微愛芯、ST等品牌現(xiàn)貨庫存,現(xiàn)貨供應(yīng)邏輯器件、數(shù)字信號處理器、單片機/微控制器、場效應(yīng)管、IGBT單管、電源管理等,滿足電子元器件及時性采購與開發(fā)需求
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根據(jù)客戶需求,提供選型指導(dǎo),輸出采購
成本方案,盡可能減少成本
原廠授權(quán)正規(guī)渠道直接采購,可追溯原廠品質(zhì),支持第三方檢測,從開發(fā)到批量生產(chǎn),確保每一個產(chǎn)品的穩(wěn)定性;成熟的倉儲管理,嚴格控制倉庫溫濕度,保證庫存過程中產(chǎn)品的完好