AOZ5516QI是AOS(萬(wàn)代)一款采用QFN5x5封裝的55A高功率DrMOS模塊。 它使用PWM和FCCM輸入來(lái)精確控制功率MOSFET的開關(guān)活動(dòng)，兼容3V/5V邏輯，支持三態(tài)PWM。可驅(qū)動(dòng)Low-Side MOSFET至二極管續(xù)流模式，以提供異步操作從而改善輕載性能。AOS代理商-中芯巨能將為大家提供AOZ5516QI中文參數(shù)、產(chǎn)品特點(diǎn)及現(xiàn)貨。

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AOZ5516QI中文參數(shù)

功率級(jí)類型：DrMOS

包裹：QFN5x5A-31L

最小電壓(  V)：4.5

最大電壓( V)：25

絕對(duì)最大 V （V）：30

最大直流電流 (A)：55

最大峰值 I (A)：120

脈寬調(diào)制輸入（V）：5

三態(tài)范圍 (V)：1.6 - 3.4

最大頻率 (MHz)：2

關(guān)機(jī)控制：FCCM=TS，PWM=TS

啟用二極管仿真模式：FCCM = L

AOZ5516QI特性

輸入電壓范圍4.5V至25V

連續(xù)輸出電流55A

10µs開啟脈沖高達(dá)120A

開關(guān)頻率高達(dá)2MHz

兼容3V/5V PWM和三態(tài)輸入

支持Intel® Power State 4

FCCM控制用于二極管續(xù)流/CCM模式

工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的3.5mm x 4.5mm QFN-31L封裝

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