2N7002K是長(zhǎng)晶/長(zhǎng)電一款N溝道MOSFET，在低壓驅(qū)動(dòng)電路、高頻開(kāi)關(guān)電路和電壓控制器件中有廣泛的應(yīng)用。代理銷售長(zhǎng)晶/長(zhǎng)電旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您提供2N7002K中文參數(shù)、產(chǎn)品特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域及提供2N7002K數(shù)據(jù)手冊(cè)下載。如需樣片測(cè)試、采購(gòu)、BOM配單等需求，請(qǐng)直接加客服微信：13310830171。

一、2N7002K中文參數(shù)

品牌：長(zhǎng)晶科技,長(zhǎng)電

產(chǎn)品類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)

類型：N溝道

漏源電壓(Vdss)：60V

連續(xù)漏極電流(Id)：340mA

功率(Pd)：350mW

導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@10V

閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2.5V

柵極電荷(Qg@Vgs)：-

輸入電容(Ciss@Vds)：40pF

反向傳輸電容(Crss@Vds)：10pF

工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj)

封裝：SOT-23

標(biāo)準(zhǔn)包裝：3000個(gè)/圓盤(pán)

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二、2N7002K產(chǎn)品特點(diǎn)

1. 低閾值電壓：具有低的門(mén)極閾值電壓，適用于低壓驅(qū)動(dòng)電路。

2. 低開(kāi)啟電壓：在導(dǎo)通狀態(tài)下具有較低的開(kāi)啟電壓，能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗操作。

3. 高開(kāi)關(guān)速度：具有快速的開(kāi)關(guān)速度，適用于高頻開(kāi)關(guān)電路。

4. 低輸入電容：具有較低的輸入電容，適用于高頻應(yīng)用和高速開(kāi)關(guān)電路。

5. 低漏電流：具有較低的漏電流，能夠提供良好的關(guān)斷特性。

三、2N7002K應(yīng)用領(lǐng)域

1. 低壓驅(qū)動(dòng)電路：適用于需要低壓驅(qū)動(dòng)的電路，如電子開(kāi)關(guān)、低功耗邏輯電路等。

2. 高頻開(kāi)關(guān)電路：用于高頻開(kāi)關(guān)電源、射頻開(kāi)關(guān)等高頻電路中。

3. 電荷耦合器件：在模擬開(kāi)關(guān)電路、數(shù)字邏輯電路中用作電荷耦合器件。

4. 電壓控制器件：用于電壓控制電路、電壓比較器等應(yīng)用中。