在AI與高性能計算（HPC）驅(qū)動下，數(shù)據(jù)中心對內(nèi)存帶寬的需求正以前所未有的速度增長。為應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出業(yè)界首款面向DDR5寄存雙列直插式內(nèi)存模塊（RDIMM）的第六代（Gen6）寄存時鐘驅(qū)動器（RCD）——RRG5006x系列。該產(chǎn)品率先實現(xiàn)9600兆傳輸/秒（MT/s）的數(shù)據(jù)速率，較上一代Gen5 RCD（8800MT/s）提升約10%，再次刷新服務(wù)器內(nèi)存接口性能的行業(yè)標(biāo)桿。

作為DDR5內(nèi)存子系統(tǒng)的關(guān)鍵組件，RCD負(fù)責(zé)緩沖和分配來自內(nèi)存控制器的命令、地址與時鐘信號。隨著AI大模型訓(xùn)練、實時推理及HPC應(yīng)用對內(nèi)存吞吐量提出更高要求，傳統(tǒng)內(nèi)存接口已逼近物理極限。瑞薩此次推出的Gen6 RCD不僅在速率上取得突破，更通過多項底層技術(shù)創(chuàng)新，顯著提升了信號完整性與能效表現(xiàn)。

據(jù)瑞薩介紹，RRG5006x采用擴(kuò)展的決策反饋均衡（DFE）架構(gòu)，支持多達(dá)八個Taps和1.5mV精度的電壓調(diào)整能力，可在高速運(yùn)行下維持穩(wěn)定的信號裕量。此外，新品還引入“決策引擎信號遙測與裕量調(diào)節(jié)”（DESTM）功能，可實時提供信號質(zhì)量指標(biāo)、可視化裕量狀態(tài)，并支持動態(tài)診斷反饋，為系統(tǒng)級調(diào)優(yōu)和故障排查提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。

值得注意的是，盡管性能大幅提升，Gen6 RCD仍保持對第五代平臺的向后兼容性，為現(xiàn)有服務(wù)器架構(gòu)提供了平滑升級路徑。這一設(shè)計降低了客戶遷移成本，也加速了新技術(shù)在主流數(shù)據(jù)中心的部署節(jié)奏。

瑞薩內(nèi)存接口事業(yè)部副總裁Sameer Kuppahalli表示：“生成式AI的爆發(fā)推動CPU核心數(shù)量激增，內(nèi)存帶寬已成為系統(tǒng)性能的關(guān)鍵瓶頸。Gen6 RCD體現(xiàn)了瑞薩在高速信號處理與低功耗設(shè)計上的深厚積累，是我們持續(xù)引領(lǐng)DDR5生態(tài)演進(jìn)的重要一步。”

三星電子DRAM產(chǎn)品規(guī)劃副總裁Indong Kim亦指出，雙方已在多代內(nèi)存接口芯片上深度合作，目前正將Gen6 RCD集成至新一代DDR5 RDIMM中，以適配多個SoC平臺，滿足AI與內(nèi)存密集型負(fù)載的嚴(yán)苛需求。

目前，RRG5006x樣品已面向包括主流DRAM廠商在內(nèi)的特定客戶開放，預(yù)計將于2027年上半年啟動量產(chǎn)。隨著該器件逐步導(dǎo)入下一代服務(wù)器平臺，其在提升內(nèi)存子系統(tǒng)效率、支撐更大規(guī)模AI訓(xùn)練集群方面的潛力值得期待。

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