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華潤微第四代SiC主驅模塊量產上車

來源：華潤微| 發(fā)布日期：2025-10-29 14:00:01 瀏覽量：

在新能源汽車持續(xù)向高效率、高電壓平臺演進的背景下，國產碳化硅（SiC）功率模塊迎來關鍵突破。華潤微電子功率器件事業(yè)群（PDBG）近日宣布，其基于1200V第四代SiC MOSFET芯片的主驅模塊已成功通過國內頭部車企認證，并實現(xiàn)批量裝車，主要應用于商用車電驅系統(tǒng)，標志著國產SiC模塊在高端動力域的產業(yè)化落地取得實質性進展。

該模塊采用PDBG自主研發(fā)的SiC MOS G4工藝平臺，結合ValueDual封裝技術，提供6管和8管并聯(lián)兩種配置，最低導通電阻達1.6mΩ。相比前代產品，G4芯片在降低導通損耗與開關損耗方面進一步優(yōu)化，提升系統(tǒng)整體能效。其耐溫能力達175°C，可在高溫工況下穩(wěn)定運行，適應電驅系統(tǒng)嚴苛的熱管理環(huán)境。

華潤微第四代SiC主驅模塊量產上車

ValueDual封裝設計具備低寄生電感特性，有效抑制高頻開關過程中的電壓過沖與振蕩，提升系統(tǒng)可靠性。同時，該封裝與主流驅動電路兼容性高，便于整車廠進行平臺化設計與替換。模塊內部采用AMB（活性金屬釬焊）陶瓷基板，確保長期熱循環(huán)下的結構穩(wěn)定性，滿足AEC-Q101車規(guī)級可靠性標準。

該模塊支持多管并聯(lián)架構，可根據(jù)不同功率等級靈活配置，適用于70kW至200kW級電驅系統(tǒng)。并聯(lián)設計不僅提升電流輸出能力，還通過優(yōu)化均流特性改善熱分布，降低局部熱點風險。其驅動接口設計簡潔，可與標準柵極驅動IC無縫對接，縮短系統(tǒng)開發(fā)周期。

目前，該系列已推出CRXMH600P120VDG4AQ（6管）和CRXMH800P120VDG4AQ（8管）兩款型號，除主驅應用外，還可拓展至車載充電機（OBC）、DC-DC轉換器及工業(yè)電機驅動、智能電網(wǎng)等高功率場景。

此次量產上車，體現(xiàn)了華潤微從SiC芯片設計、工藝制造到模塊封裝的全鏈路自主能力。隨著800V高壓平臺加速普及，SiC器件在降低系統(tǒng)損耗、提升續(xù)航方面的優(yōu)勢愈發(fā)凸顯。華潤微此次突破，不僅強化了其在國產SiC供應鏈中的地位，也為國內車企提供了高性能、高可靠性的本土化功率解決方案。

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