近日，英飛凌科技正式發(fā)布基于CoolSiC?技術(shù)的Easy B系列2kV SiC MOSFET模塊，包括FF6MR20W2M1HB70和F3L6MR20W2M1HB70兩款型號(hào)。該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料，結(jié)合高性能氮化鋁陶瓷DCB基板，旨在為新能源、電動(dòng)汽車及工業(yè)電源系統(tǒng)提供更高效率、更高可靠性的功率解決方案。

此次推出的Easy B系列模塊基于英飛凌成熟的EasyDUAL?和EasyPACK?封裝平臺(tái)，集成NTC溫度傳感器和PressFIT觸點(diǎn)技術(shù)，高度僅為12毫米，具備緊湊設(shè)計(jì)與高集成度優(yōu)勢(shì)，適用于多種高密度功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用場(chǎng)景。

從技術(shù)參數(shù)來看，該模塊采用了增強(qiáng)型第一代M1H芯片，具有極低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，并支持最高175°C的過載運(yùn)行溫度。其柵源電壓范圍較寬，有助于提升驅(qū)動(dòng)兼容性與穩(wěn)定性。此外，模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)顯著降低了雜散電感，從而進(jìn)一步改善高頻切換下的電磁干擾表現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)更高效的能量轉(zhuǎn)換。

在應(yīng)用層面，這款SiC MOSFET模塊特別適用于直流-直流變換器、電動(dòng)汽車充電設(shè)備、光伏逆變器以及儲(chǔ)能系統(tǒng)等場(chǎng)景。由于其出色的電氣性能和熱管理能力，能夠有效提升系統(tǒng)整體效率，降低對(duì)散熱系統(tǒng)的要求，同時(shí)支持更高的工作頻率與功率密度，助力終端設(shè)備實(shí)現(xiàn)小型化、輕量化設(shè)計(jì)。

值得一提的是，新模塊所搭載的高性能氮化鋁（AlN）DCB基板不僅提升了熱傳導(dǎo)效率，還增強(qiáng)了長(zhǎng)期運(yùn)行的穩(wěn)定性，有利于延長(zhǎng)系統(tǒng)使用壽命或在高功率條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行。這一特性使其成為1500V直流母線系統(tǒng)的理想匹配方案，滿足當(dāng)前高端能源基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)高壓、高效、高可靠性日益增長(zhǎng)的需求。

英飛凌表示，此次擴(kuò)展其2kV產(chǎn)品組合，意在為客戶提供可擴(kuò)展的功率模塊平臺(tái)，適配更多復(fù)雜工況下的多樣化需求。隨著碳化硅器件在新能源領(lǐng)域的持續(xù)滲透，該系列產(chǎn)品的推出將進(jìn)一步鞏固英飛凌在寬禁帶功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，也為客戶在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中帶來更大的靈活性與競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

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