在2025年4月28日舉行的“2025西部半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇暨陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會成立20周年大會”上，華羿微電憑借其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和市場影響力，榮獲了“突出貢獻(xiàn)產(chǎn)品獎”和“突出貢獻(xiàn)單位獎”。此次獲獎不僅是對華羿微電在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域持續(xù)探索的肯定，更是對其在促進(jìn)陜西省乃至全國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中所扮演角色的高度認(rèn)可。

自陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會成立以來的二十年間，陜西的半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了快速的發(fā)展與變革。此次頒獎典禮旨在表彰那些在技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品質(zhì)量提升以及市場拓展等方面表現(xiàn)突出的企業(yè)和個人。作為半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍者，華羿微電憑借其【寬SOA 30V SGT MOSFET產(chǎn)品】的出色性能和廣泛應(yīng)用，成功摘得“突出貢獻(xiàn)產(chǎn)品獎”。

華羿微電自主研發(fā)的寬SOA 30V SGT MOSFET產(chǎn)品基于公司成熟的30V SGT MOSFET平臺開發(fā)，特別集成了具有寬安全工作區(qū)（SOA）特性的晶胞設(shè)計(jì)，使得該產(chǎn)品的內(nèi)阻低于0.33mOhm。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，在Vds=12V，PT=100mS脈沖條件下，其SOA值超過14A，抗沖擊能力提升了約85%。相較于國際一線品牌同類產(chǎn)品，華羿微電的寬SOA特性提高了50%，在PDFN5x6封裝下，關(guān)鍵參數(shù)指標(biāo)Rsp達(dá)到3.8mOhm-mm2，品質(zhì)因子FOM達(dá)到了45.5 mOhm-nC，技術(shù)指標(biāo)處于國內(nèi)外領(lǐng)先水平，實(shí)現(xiàn)了對外資產(chǎn)品的完全替代。

這款由華羿微電推出的國內(nèi)首創(chuàng)30V寬SOA功率MOSFET器件，打破了長期以來國外技術(shù)的壟斷局面。憑借其極寬的安全工作區(qū)間、超低的電阻以及優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng)和可靠性，該產(chǎn)品已被廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心及服務(wù)器等領(lǐng)域，并迅速獲得了市場的高度評價，成為公司的核心產(chǎn)品之一。它不僅為客戶提供了更加高效、可靠的解決方案，同時也為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步樹立了新的標(biāo)桿。

華羿微電的成功，離不開其對技術(shù)研發(fā)的不懈追求和對市場需求的深刻理解。通過不斷地技術(shù)創(chuàng)新和優(yōu)化，華羿微電不僅提升了自身產(chǎn)品的競爭力，也為推動整個行業(yè)的健康發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn)。未來，隨著更多類似寬SOA 30V SGT MOSFET這樣高性能產(chǎn)品的推出，我們有理由相信，華羿微電將繼續(xù)引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展潮流，為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起貢獻(xiàn)力量。