隨著高功率應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ至⑹教蓟?SiC) MOSFET需求的不斷增長，Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出了一系列高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V SiC MOSFET。這些器件采用了創(chuàng)新的表面貼裝(SMD)頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK，為電池儲(chǔ)能系統(tǒng)(BESS)、光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器及不間斷電源(UPS)等應(yīng)用場景提供了卓越的性能。

一、產(chǎn)品概述

新款SiC MOSFET系列不僅在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，還通過獨(dú)特的X.PAK封裝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的散熱效果。X.PAK封裝尺寸僅為14 mm × 18.5 mm，結(jié)合了SMD技術(shù)和通孔技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，既保證了緊湊的外形，又提升了散熱效率。這一設(shè)計(jì)特別適合需要高效散熱的高功率應(yīng)用，如電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施中的充電樁。

二、關(guān)鍵技術(shù)特性

1. 創(chuàng)新的X.PAK封裝

X.PAK封裝允許將散熱器直接連接至引線框架，從而顯著提高了散熱性能。這種設(shè)計(jì)不僅減少了通過PCB散熱帶來的負(fù)面影響，還使表面貼裝組件具備低電感特性，并支持自動(dòng)化電路板封裝流程。此外，它確保了從外殼頂部高效散熱，進(jìn)一步增強(qiáng)了熱管理能力。

2. 卓越的溫度穩(wěn)定性

新款SiC MOSFET在25℃至175℃的工作溫度范圍內(nèi)，RDS(on)標(biāo)稱值僅增加38%，遠(yuǎn)優(yōu)于許多同類產(chǎn)品。相比之下，其他制造商的產(chǎn)品在相同條件下，RDS(on)標(biāo)稱值可能增加超過100%。這表明Nexperia的新品在高溫下的導(dǎo)通損耗控制更加出色，有助于提升整體系統(tǒng)的能效。

3. 廣泛的應(yīng)用場景

這些SiC MOSFET適用于多種高功率工業(yè)應(yīng)用，包括但不限于：

電池儲(chǔ)能系統(tǒng)(BESS)：提供高效的能量存儲(chǔ)和釋放解決方案。

光伏逆變器：優(yōu)化太陽能發(fā)電系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率。

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器：提高電機(jī)運(yùn)行效率，降低能耗。

不間斷電源(UPS)：確保電力供應(yīng)的連續(xù)性和可靠性。

電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施：特別是充電樁，助力快速充電技術(shù)的發(fā)展。

注：我司代理銷售Nexperia旗下全系列IC電子元器件，如需產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。