即將于2025年3月27日至28日在上海金茂君悅大酒店舉行的國際集成電路展覽會暨研討會（IIC），將為全球半導體行業(yè)帶來一場科技盛宴。作為參展商之一，上海貝嶺將在展位號B05展示其最新的功率半導體解決方案，并由工業(yè)市場經(jīng)理康博帶來主題為“功率半導體方案賦能高效可靠光儲系統(tǒng)”的精彩演講。

展會亮點與議程

此次IIC展會選址在上海浦東新區(qū)世紀大道88號的金茂大廈內(nèi)，旨在探討綠色能源生態(tài)發(fā)展、中國IC設計創(chuàng)新、EDA/IP、MCU技術(shù)與應用、高效電源管理及寬禁帶半導體技術(shù)等多個關(guān)鍵領(lǐng)域。除了豐富的產(chǎn)品和技術(shù)展示外，大會還將舉辦企業(yè)新品發(fā)布會、高端峰會論壇以及年度重磅獎項揭曉等多維度活動內(nèi)容，為參會者提供全方位的學習和交流機會。

上海貝嶺推薦產(chǎn)品概覽

BLG40T120FDK5

這款I(lǐng)GBT采用第五代微溝槽多層場截止技術(shù)，電壓等級為1200V，電流達到40A。它具備快速開關(guān)、低關(guān)斷損耗和低導通電壓的特點，適用于光伏逆變器、PCS、開關(guān)電源逆變器和工業(yè)焊機等高頻應用場景。終端采用了電場優(yōu)化技術(shù)，提升了產(chǎn)品的可靠性，滿足HV-H3TRB等標準。

BLG40T120FDL5

同樣基于第五代技術(shù)，BLG40T120FDL5在優(yōu)化了導通損耗和開關(guān)損耗的基礎(chǔ)上，實現(xiàn)了更好的輸出特性。通過改進cell設計，該產(chǎn)品可達到超過10us的短路耐受時間，適合通用變頻器和三相全橋逆變等需要高可靠性和強短路能力的應用場景。

BLG80T65FDK7與BLG80T65FDL7

這兩款基于第七代技術(shù)的IGBT產(chǎn)品，電壓等級為650V，電流為80A。它們具有快速開關(guān)和低關(guān)斷損耗的優(yōu)勢，特別適合充電樁和工業(yè)焊機等高頻應用。其中，BLG80T65FDL7進一步加強了短路性能，適用于電機驅(qū)動、通用驅(qū)動和通用變頻器等有短路要求的應用。

BLQG160T75FDL7與BLQGMS820T75FEDL7

前者是一款車規(guī)級IGBT，適用于工業(yè)和農(nóng)業(yè)車主驅(qū)系統(tǒng)；后者則是大電流車規(guī)級IGBT模塊，專為電動或混動汽車主驅(qū)逆變回路設計。兩者均采用了HPD封裝形式，確保了高可靠性和穩(wěn)定性。

SiC MOSFET系列產(chǎn)品

最后介紹的是SiC MOSFET系列產(chǎn)品，包括BLC13N120和BLCMF011N120DG2。前者是一款1200V電壓等級、13mohm導通電阻的平面SiC MOSFET，廣泛應用于固態(tài)斷路器、高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域；后者則是一個緊湊型半橋拓撲結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET模塊，在高效轉(zhuǎn)換器、光伏逆變器和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域表現(xiàn)出色。

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康博的主題演講

在本次大會上，上海貝嶺工業(yè)市場經(jīng)理康博將以“功率半導體方案賦能高效可靠光儲系統(tǒng)”為主題發(fā)表演講。他將詳細介紹如何利用先進的功率半導體技術(shù)提升光儲系統(tǒng)的效率和可靠性，探討未來發(fā)展的趨勢和挑戰(zhàn)。康博的演講不僅將揭示上海貝嶺在光儲系統(tǒng)領(lǐng)域的最新研究成果，還將分享實際應用案例，幫助聽眾更好地理解這些技術(shù)的實際價值。