全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，面向企業(yè)級高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻和超寬安全工作區(qū)（SOA）范圍的Nch功率MOSFET。這一創(chuàng)新產(chǎn)品將顯著提升服務(wù)器電源電路的效率和可靠性。

新產(chǎn)品的應(yīng)用場景與優(yōu)勢

ROHM此次推出的三款新產(chǎn)品包括：

RS7E200BG（30V），適用于企業(yè)級高性能服務(wù)器12V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)和熱插拔控制器（HSC）電路。

RS7N200BH（80V）和RS7N160BH（80V），適用于AI服務(wù)器48V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)。

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這些新產(chǎn)品針對數(shù)據(jù)中心和AI處理服務(wù)器的需求進行了優(yōu)化，特別是在高級數(shù)據(jù)處理技術(shù)和數(shù)字化轉(zhuǎn)型加速背景下，對支撐數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器需求不斷增加。由于這些服務(wù)器需要24小時不間斷運行，因此電源單元中使用的多個MOSFET的導(dǎo)通電阻造成的導(dǎo)通損耗，會對系統(tǒng)整體性能和能效產(chǎn)生重大影響。

解決導(dǎo)通損耗問題

在AC-DC轉(zhuǎn)換電路中，導(dǎo)通損耗占比較大，因此需要使用導(dǎo)通電阻低的MOSFET。ROHM的新產(chǎn)品通過采用DFN5060-8S封裝，增加了封裝內(nèi)部芯片可用面積，從而實現(xiàn)了業(yè)界超低的導(dǎo)通電阻。這不僅減少了導(dǎo)通損耗，還提高了系統(tǒng)的整體能效。

此外，服務(wù)器配備了熱插拔功能，可以在通電狀態(tài)下更換和維護內(nèi)部的板卡和存儲設(shè)備。然而，在更換過程中，服務(wù)器內(nèi)部會產(chǎn)生較大的浪涌電流，這對MOSFET的安全性和穩(wěn)定性提出了更高的要求。更大的安全工作區(qū)范圍（寬SOA范圍）對于保護服務(wù)器內(nèi)部和MOSFET至關(guān)重要。

寬SOA范圍的重要性

寬SOA范圍意味著MOSFET能夠在更廣泛的條件下穩(wěn)定工作，即使在高電流和高電壓的情況下也能保持良好的性能。這對于防止因浪涌電流導(dǎo)致的損壞尤為重要。ROHM的新產(chǎn)品通過優(yōu)化封裝設(shè)計，大幅擴展了SOA范圍，確保在各種復(fù)雜工況下仍能提供可靠的性能。

DFN5060-8S封裝的優(yōu)勢

ROHM新開發(fā)的DFN5060-8S封裝相比傳統(tǒng)封裝形式，提供了更大的芯片可用面積。這種設(shè)計不僅有助于降低導(dǎo)通電阻，還能提高散熱性能，從而進一步增強MOSFET的可靠性和耐用性。DFN5060-8S封裝的設(shè)計使得新產(chǎn)品在實際應(yīng)用中表現(xiàn)出色，能夠應(yīng)對各種嚴(yán)苛的工作環(huán)境。

提升服務(wù)器電源電路的效率和可靠性

ROHM的新產(chǎn)品非常有助于提高服務(wù)器電源電路的效率和可靠性。以企業(yè)級高性能服務(wù)器為例，RS7E200BG（30V）能夠有效降低AC-DC轉(zhuǎn)換電路中的導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體能效。而在AI服務(wù)器方面，RS7N200BH（80V）和RS7N160BH（80V）則能夠在48V系統(tǒng)電源中發(fā)揮重要作用，確保在高負(fù)載下的穩(wěn)定運行。

結(jié)論

隨著數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進步和數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速，對高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器的需求持續(xù)增長。ROHM推出的新型Nch功率MOSFET通過實現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻和超寬SOA范圍，為服務(wù)器電源電路帶來了顯著的性能提升。無論是企業(yè)級高性能服務(wù)器還是AI服務(wù)器，ROHM的新產(chǎn)品都能提供高效、可靠的解決方案，幫助客戶應(yīng)對日益復(fù)雜的電源管理挑戰(zhàn)。這一創(chuàng)新不僅提升了服務(wù)器的整體性能，也為未來的數(shù)據(jù)中心和AI處理平臺奠定了堅實的基礎(chǔ)。