英飛凌CoolSiC? 1200V SiC MOSFET低歐姆產品（7mΩ、14mΩ和20mΩ），采用TO247-3/TO247-4封裝，基于最先進的溝槽柵半導體工藝制造。這些器件不僅性能優(yōu)越，可靠性也得到了進一步提升。通過采用.XT互連技術，CoolSiC? MOSFET實現(xiàn)了卓越的熱耗散性能，成為硬開關和諧振開關拓撲結構的理想選擇。代理銷售英飛凌旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您提供英飛凌CoolSiC? 1200V SiC MOSFET低歐姆產品特點、應用領域及可選型號。

產品特點

高效散熱與低電阻

CoolSiC? MOSFET在TO247封裝中提供了最大規(guī)格和最低的RDS(ON)，分別為7mΩ、14mΩ和20mΩ。采用.XT互連技術，這些器件具備同類最佳的熱性能，確保在高功率應用中的高效散熱。此外，最大柵極源極電壓低至-10V，關斷柵極電壓范圍靈活選擇在-5V到0V之間，提高了設計的靈活性和應用的便捷性。

穩(wěn)健性和可靠性

CoolSiC? MOSFET具有出色的雪崩能力和短路能力，增強了其穩(wěn)健性和可靠性。這些特性使其能夠在極端條件下穩(wěn)定運行，適用于要求苛刻的應用場景。此外，該系列產品經過優(yōu)化，性能和可靠性均得到顯著提升，滿足了市場對高性能功率器件的需求。

應用價值

單個器件的高功率密度

CoolSiC? MOSFET在單個器件中實現(xiàn)了極高的功率密度，例如7mΩ的單個器件可以實現(xiàn)高達30千瓦的系統(tǒng)輸出功率。這不僅提高了系統(tǒng)的整體效率，還減少了所需的空間和組件數(shù)量，簡化了系統(tǒng)設計。

散熱能力提升

由于采用了.XT互連技術和先進的溝槽柵工藝，CoolSiC? MOSFET的散熱能力提高了15%。這意味著在相同的運行條件下，器件能夠更有效地散發(fā)熱量，延長使用壽命并提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

設計靈活性

寬關斷柵極電壓選擇（-5V到0V）使得設計更加靈活，易于適應不同的應用場景。無論是硬開關還是諧振開關拓撲結構，CoolSiC? MOSFET都能提供優(yōu)異的性能表現(xiàn)，適用于功率因素校正（PFC）電路、雙向拓撲結構、DC-DC轉換器或DC-AC逆變器等應用。

市場優(yōu)勢

可靠性與供應安全性

CoolSiC? MOSFET經過驗證并增強了封裝的堅固性，具有很高的可靠性。完整的內部生產前端和后端流程，確保了供應的安全性，避免了供應鏈中斷的風險。最新的開關和柵極驅動器技術進一步提升了產品的性能，使其在市場上具備明顯的競爭優(yōu)勢。

加速上市時間

CoolSiC? MOSFET的設計簡便，易于集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中，從而加快了產品的上市時間。對于需要快速響應市場需求的企業(yè)來說，這一點尤為重要。通過使用這些高性能器件，企業(yè)能夠更快地推出新產品，搶占市場先機。

應用領域

電動車快速充電

CoolSiC? MOSFET在電動車快速充電站中表現(xiàn)出色，能夠提供高效的電力傳輸和穩(wěn)定的運行。其高功率密度和卓越的散熱性能，使得充電過程更加迅速和安全。

太陽能系統(tǒng)

在太陽能系統(tǒng)中，CoolSiC? MOSFET用于功率因素校正（PFC）電路和DC-DC轉換器，提高了系統(tǒng)的整體效率。其低電阻和高效散熱特性，確保了在不同光照條件下的穩(wěn)定運行。

儲能系統(tǒng)

儲能系統(tǒng)需要高可靠性和高效率的功率器件，CoolSiC? MOSFET憑借其出色的性能和可靠性，成為儲能系統(tǒng)中的理想選擇。它能夠在充放電過程中提供穩(wěn)定的電力支持，延長電池壽命。

工業(yè)驅動

工業(yè)驅動設備對功率器件的要求極高，CoolSiC? MOSFET以其高功率密度和穩(wěn)健性，滿足了這些需求。無論是在惡劣環(huán)境還是復雜工況下，CoolSiC? MOSFET都能保證系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。

可選型號

以下是部分型號，如需完整的選型表，請加客服微信：13310830171。