全球知名半導體制造商羅姆（ROHM）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN?產(chǎn)品GaN HEMT，被日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所（Murata Power Solutions）用于其AI服務器電源。這款高效能的GaN HEMT不僅實現(xiàn)了小型化設計，還顯著提升了電源單元的工作效率，預計該電源單元將于2025年開始量產(chǎn)。

AI與數(shù)據(jù)通信需求推動電源技術進步

近年來，隨著人工智能（AI）和增強現(xiàn)實（AR）在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）領域的快速發(fā)展，全球數(shù)據(jù)通信量持續(xù)增加。特別是使用AI進行一次查詢所消耗的電量比普通網(wǎng)頁搜索高出數(shù)倍，這對處理這些查詢的高速運算設備供電的AI服務器電源提出了更高的效率要求。具有低導通電阻和高速開關特性的GaN器件因其有助于電源高效率工作和外圍元器件小型化而備受關注。

村田制作所的技術選擇

Murata Power Solutions的技術專家Dr. Joe Liu表示：“我們非常高興通過使用羅姆的GaN HEMT，能夠設計出更高效率和更高功率密度的AI服務器電源單元。”他進一步解釋道，GaN HEMT的高速開關工作、低寄生電容以及零反向恢復特性，使得開關損耗最小化，提高了開關轉換器的工作頻率，并削減了磁性元器件的尺寸。羅姆的GaN HEMT不僅在性能方面極具競爭力，而且可靠性也非常高，為他們的5.5kW輸出電源單元帶來了顯著的效果。

羅姆的技術優(yōu)勢與合作愿景

羅姆LSI事業(yè)本部Power Stage產(chǎn)品開發(fā)部部長山口雄平表示：“羅姆的EcoGaN?能夠被電源領域的全球領導者Murata Power Solutions采用，我們深感榮幸。”他指出，這次采用的GaN HEMT具有行業(yè)領先的開關性能，且采用了散熱性能優(yōu)異的TOLL封裝，有助于Murata Power Solutions的電源單元實現(xiàn)更高功率密度和更高效率。未來，羅姆將繼續(xù)與村田制作所合作，共同促進電源的小型化和效率提升，為社會電力供需緊張問題貢獻力量。

Murata Power Solutions的AI服務器電源單元

Murata Power Solutions的AC-DC電源“1U前端”系列包括多種高功率密度的產(chǎn)品，如3.2kW的M-CRPS封裝電源D1U T-W-3200-12-HB4C（輸出12V版）和D1U T-W-3200-54-HB4C（輸出54V版），以及新增的AI服務器用5.5kW電源D1U67T-W-5500-50-HB4C。這些電源單元的轉換效率非常高，可以滿足80 Plus Titanium和開放計算產(chǎn)品的最嚴格要求，支持N+M冗余工作，提高系統(tǒng)可靠性，適合最新的GPU服務器供電。此外，其低矮的1U尺寸有助于減少系統(tǒng)占地面積，提供高效可靠的電力供應。

關于羅姆的EcoGaN?

EcoGaN?是羅姆公司推出的一種高性能GaN器件，旨在更大程度地發(fā)揮GaN的性能，助力應用產(chǎn)品進一步節(jié)能和小型化。EcoGaN?系列產(chǎn)品有助于應用產(chǎn)品降低功耗、實現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數(shù)量等。通過這些技術進步，EcoGaN?不僅提高了電源效率，還促進了系統(tǒng)的緊湊性和可靠性，適用于各種高性能應用場景。

結論

隨著AI和大數(shù)據(jù)應用的不斷擴展，對高效能電源的需求日益增長。羅姆的EcoGaN?技術通過其卓越的性能和可靠性，成功助力村田制作所的AI服務器電源單元實現(xiàn)了小型化和高效率工作。雙方的合作不僅推動了電源技術的進步，也為解決電力供需緊張的社會課題貢獻了力量。未來，隨著技術的不斷演進，我們可以期待更多基于EcoGaN?的創(chuàng)新應用出現(xiàn)，為各行各業(yè)帶來更加高效和可靠的電力解決方案。