英飛凌科技近日宣布推出其第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V TO-247-4HC分立器件系列，這標志著電力電子領(lǐng)域的一大進步。該系列產(chǎn)品在原有第一代技術(shù)的基礎(chǔ)上進行了優(yōu)化和升級，旨在提供更高的效率、更緊湊的設(shè)計以及無與倫比的可靠性。

新一代產(chǎn)品采用TO-247-4HC高爬電距離封裝，提供了從12mΩ到78mΩ不等的電阻選擇范圍，適用于包括交流-直流、直流-直流和直流-交流在內(nèi)的各種功率變換應(yīng)用。具體型號涵蓋了IMZC120R012M2H至IMZC120R078M2H等多個選項，為不同需求的用戶提供了廣泛的選擇空間。

產(chǎn)品型號：

 IMZC120R012M2H

IMZC120R017M2H

IMZC120R022M2H

IMZC120R026M2H

IMZC120R034M2H

IMZC120R040M2H

IMZC120R053M2H

IMZC120R078M2H

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英飛凌CoolSiC? MOSFET G2 1200V系列產(chǎn)品的設(shè)計考慮到了多種應(yīng)用場景的需求，特別是對于那些需要高性能和可靠性的領(lǐng)域。比如，在電動汽車充電站中，這些設(shè)備可以顯著提高充電效率；在工業(yè)電機驅(qū)動和控制方面，它們能夠?qū)崿F(xiàn)更好的散熱管理；而在不間斷電源(UPS)和三相組串逆變器的應(yīng)用中，它們則展現(xiàn)了卓越的穩(wěn)健性和耐用性。

此外，這些新產(chǎn)品還具有多個突出的特點：開關(guān)損耗極低，最大VGS范圍更大（-10V至+25V），過載運行溫度最高可達Tvj=200°C，并且擁有市場上同類最佳的最低RDS(on)值。同時，每款產(chǎn)品都保證了至少2μs的最大短路耐受時間，進一步增強了系統(tǒng)的安全性。

從應(yīng)用價值上看，CoolSiC? MOSFET G2不僅提高了能源效率，還優(yōu)化了散熱性能，實現(xiàn)了更高的功率密度。這種新型的穩(wěn)健性使得并聯(lián)操作變得更加簡單，大大提升了系統(tǒng)整體的可靠性。

在市場上，CoolSiC? MOSFET G2憑借其性能增強、XT互連技術(shù)和獨特的堅固性，確立了自己的競爭優(yōu)勢。無論是對于追求高性能還是高可靠性的客戶來說，這一系列產(chǎn)品都是理想的選擇。

總之，隨著英飛凌CoolSiC? MOSFET G2 1200V系列的推出，我們看到了電力電子技術(shù)的新一輪革新。它不僅滿足了當前市場對高效能組件的需求，也為未來的創(chuàng)新和發(fā)展奠定了堅實的基礎(chǔ)。