情侣黄网站免费看-少妇又色又爽又紧的A片-四个熟妇搡BBBB搡BBBB-少妇与大狼拘作爱视频-国产精品后入内射日本在线观看

15年IC行業(yè)代理分銷 覆蓋全球300+品牌

現(xiàn)貨庫存，2小時發(fā)貨，提供寄樣和解決方案

24小時服務(wù)熱線: 0755-82539998

熱搜關(guān)鍵詞：

您當(dāng)前的位置：首頁 > 新聞資訊 > 行業(yè)資訊

安森美推進溝槽技術(shù)，平面SiC MOSFET仍具顯著優(yōu)勢

來源：安森美| 發(fā)布日期：2024-12-26 10:13:18 瀏覽量：

安森美在其技術(shù)發(fā)展“路線圖”中，將溝槽技術(shù)視為一個重要的發(fā)展方向，同時也在持續(xù)深化其在平面技術(shù)上的研發(fā)。這一策略旨在克服溝槽技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)，同時利用平面技術(shù)成熟的優(yōu)勢，確保產(chǎn)品性能達到最優(yōu)。

平面SiC MOSFET：穩(wěn)定性和成本效益的典范

安森美的平面SiC MOSFET建立在公司及整個行業(yè)數(shù)十年的全球制造經(jīng)驗之上，因此具備了無可比擬的性能、穩(wěn)定性和可靠性。這種器件不僅擁有優(yōu)化的供應(yīng)鏈，還經(jīng)過了廣泛的現(xiàn)場驗證，累計使用時間已達數(shù)萬億小時，故障率極低。特別是在柵極氧化層方面，安森美通過嚴格的100%缺陷篩選和加速電氣測試，確保了產(chǎn)品的耐用性。

安森美推進溝槽技術(shù)，平面SiC MOSFET仍具顯著優(yōu)勢

從平面到溝槽：逐步過渡的技術(shù)演進

安森美從M1/M2平面技術(shù)起步，逐漸引入更先進的條紋管芯和平面技術(shù)，如M3T和M3S，以及業(yè)界領(lǐng)先的薄晶圓技術(shù)，這些都大大減小了管芯尺寸。第三代M3e標志著平面技術(shù)發(fā)展的巔峰，其管芯間距相比M1減少了超過60%，實現(xiàn)了更高的可制造性和使用壽命。此外，M3e還通過提高閾值電壓和降低臨界導(dǎo)通電阻簡化了柵極電路設(shè)計，增強了對寄生導(dǎo)通的抗干擾能力。

隨著技術(shù)的進步，安森美計劃推出下一代M4S和M4T產(chǎn)品，它們將采用先進的溝槽設(shè)計和薄晶圓技術(shù)，進一步縮小管芯體積，并提供有別于傳統(tǒng)平面器件的卓越性能。第四代MOSFET將實現(xiàn)100%溝槽利用率，為市場帶來真正的創(chuàng)新。

面對SiC材料特性，安森美保持謹慎態(tài)度

值得注意的是，在從硅襯底轉(zhuǎn)向SiC的過程中，許多客戶首次接觸這種新材料時可能未充分意識到其潛在的可靠性風(fēng)險。相較于硅襯底，SiC中的碳在氧化過程中扮演的角色更加復(fù)雜，可能會引起界面問題。安森美正積極應(yīng)對這些問題，以確保新技術(shù)產(chǎn)品的可靠性和長期穩(wěn)定性。

綜上所述，盡管安森美積極推進溝槽技術(shù)的發(fā)展，但現(xiàn)階段其平面SiC MOSFET仍然以其高可靠性、穩(wěn)定性和成本效益占據(jù)重要地位。

最新資訊