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第三代半導(dǎo)體助力新能源與可再生能源發(fā)展

來(lái)源：中芯巨能：提供選型指導(dǎo)+現(xiàn)貨供應(yīng)+技術(shù)支持| 發(fā)布日期：2025-01-02 12:00:01 瀏覽量：

第三代半導(dǎo)體如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷高速發(fā)展，特別是在新能源汽車市場(chǎng)的推動(dòng)下。新能源汽車行業(yè)對(duì)高效、高密度的功率器件需求旺盛，旨在延長(zhǎng)車輛續(xù)航里程并優(yōu)化能量管理。

全球能源結(jié)構(gòu)向可再生能源轉(zhuǎn)變的趨勢(shì)顯著，太陽(yáng)能光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)的廣泛采用進(jìn)一步刺激了對(duì)高效功率器件的需求。各國(guó)政府也在環(huán)保法規(guī)和能源戰(zhàn)略上給予大力支持，為第三代半導(dǎo)體技術(shù)提供了寶貴的發(fā)展機(jī)遇。據(jù)WSTS最新數(shù)據(jù)，2024年第三季度全球半導(dǎo)體市場(chǎng)達(dá)到了1660億美元的新高，環(huán)比增長(zhǎng)10.7%，創(chuàng)下自2016年末以來(lái)的最大增幅。

GaN以其高頻、高功率和低能耗特性在射頻通信及電力電子領(lǐng)域大放異彩；而SiC則以高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率和高電子飽和速率見長(zhǎng)，適用于高溫、高壓和高頻應(yīng)用場(chǎng)景。相較于傳統(tǒng)硅基器件，第三代半導(dǎo)體具備更快的開關(guān)速度、更高的電流密度支持、更好的溫度耐受性和更低的損耗等優(yōu)點(diǎn)。然而，這些技術(shù)也面臨寄生電感效應(yīng)、封裝寄生電阻以及電磁干擾等挑戰(zhàn)。

面對(duì)不同應(yīng)用領(lǐng)域的特殊要求，選擇合適的制造技術(shù)對(duì)于提升器件性能和可靠性、降低成本至關(guān)重要。隨著新應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，功率器件的多樣化需求日益增加，半導(dǎo)體封裝技術(shù)作為實(shí)現(xiàn)高效率、高可靠性和低成本的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，在優(yōu)化散熱、提高功率密度和熱管理效率、減少電能損耗等方面扮演著重要角色。通過(guò)持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新，第三代半導(dǎo)體器件不僅能夠充分發(fā)揮材料性能潛力，還能推動(dòng)更多創(chuàng)新應(yīng)用的發(fā)展，為行業(yè)注入新的活力。

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