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熱搜關(guān)鍵詞:
通過(guò)采用意法半導(dǎo)體的SiC MOSFET,設(shè)計(jì)師可以將寬帶隙材料(WBG)的創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)引入其新項(xiàng)目中。這些碳化硅MOSFET提供650V至2200V的寬電壓范圍,基于先進(jìn)的技術(shù)平臺(tái),具備卓越的開(kāi)關(guān)性能和極低的單位面積導(dǎo)通電阻。
汽車級(jí)認(rèn)證:滿足嚴(yán)苛的汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
耐高溫能力:最高結(jié)溫可達(dá)200°C。
高頻操作與低損耗:支持超高頻率工作,并具有極低的開(kāi)關(guān)損耗。
低導(dǎo)通電阻:降低能耗,提高效率。
兼容現(xiàn)有柵極驅(qū)動(dòng)IC:簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)過(guò)程。
穩(wěn)定快速的體二極管:增強(qiáng)整體系統(tǒng)的可靠性。
SCTH60N120G2-7:Gen2 1200 V STPOWER SiC MOSFET采用微型H2PAK-7 SMD封裝,功率密度更高裝。
SCTWA35N65G2V-4:碳化硅功率 MOSFET 650 V,典型值 55 mOhm,45 A,采用 HiP247-4 封裝。
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意法半導(dǎo)體提供的SiC MOSFET產(chǎn)品線覆蓋了多種先進(jìn)封裝形式,如HiP247、H2PAK-7、TO-247長(zhǎng)引線、STPAK及HU3PAK,專門針對(duì)汽車和工業(yè)應(yīng)用的需求進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。此外,包括第三代G3在內(nèi)的所有型號(hào)均可提供裸晶片選項(xiàng),符合嚴(yán)格的汽車級(jí)要求,例如晶圓級(jí)老化測(cè)試(WLBI)和已知良好晶片(KGD)流程,支持重構(gòu)晶圓或卷盤封裝形式供貨。