意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。這一新技術(shù)在能效、功率密度和穩(wěn)健性方面有望成為市場(chǎng)的新標(biāo)桿。除了滿足汽車和工業(yè)市場(chǎng)的廣泛需求外，意法半導(dǎo)體還特別針對(duì)電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件——逆變器進(jìn)行了優(yōu)化。公司計(jì)劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果，以履行其創(chuàng)新承諾。

高層觀點(diǎn)

意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“我們致力于為市場(chǎng)提供尖端的碳化硅技術(shù)，推動(dòng)電動(dòng)汽車和高能效工業(yè)的未來(lái)發(fā)展。通過(guò)在器件、先進(jìn)封裝和電源模塊方面的持續(xù)創(chuàng)新，我們將推進(jìn)SiC MOSFET技術(shù)的發(fā)展。結(jié)合垂直整合制造戰(zhàn)略，我們將通過(guò)提供行業(yè)前沿的SiC技術(shù)并打造富有韌性的供應(yīng)鏈，來(lái)滿足客戶日益增長(zhǎng)的需求，并為更可持續(xù)的未來(lái)做出貢獻(xiàn)。”

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

作為SiC功率MOSFET市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者，意法半導(dǎo)體不斷推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新，充分利用SiC在能效和功率密度方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅基器件的優(yōu)勢(shì)。最新一代SiC器件旨在改善未來(lái)的電動(dòng)汽車電驅(qū)逆變器平臺(tái)，進(jìn)一步釋放小型化和節(jié)能潛力。盡管電動(dòng)汽車市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)，但要實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用仍面臨挑戰(zhàn)。汽車制造商正在探索如何推出普通消費(fèi)者都能負(fù)擔(dān)得起的電動(dòng)汽車。基于SiC的800V電動(dòng)汽車平臺(tái)電驅(qū)系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)更快的充電速度，減輕車輛重量，從而幫助汽車制造商生產(chǎn)續(xù)航里程更長(zhǎng)的高端車型。意法半導(dǎo)體的新SiC MOSFET產(chǎn)品提供了750V和1200V兩個(gè)電壓等級(jí)，分別提高了400V和800V電動(dòng)汽車平臺(tái)電驅(qū)逆變器的能效和性能。將這些技術(shù)優(yōu)勢(shì)應(yīng)用于中型和緊湊型車型，有助于讓電動(dòng)汽車更加普及。此外，新一代SiC技術(shù)還適用于各種大功率工業(yè)設(shè)備，如太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能解決方案和數(shù)據(jù)中心等，顯著提高能源效率。

產(chǎn)品進(jìn)度

意法半導(dǎo)體現(xiàn)已完成第四代SiC技術(shù)平臺(tái)750V電壓等級(jí)的產(chǎn)前認(rèn)證，預(yù)計(jì)將在2025年第一季度完成1200V電壓等級(jí)的認(rèn)證。標(biāo)稱電壓為750V和1200V的產(chǎn)品隨后將上市銷售，從標(biāo)準(zhǔn)市電電壓到高壓電動(dòng)汽車電池和充電器，滿足設(shè)計(jì)人員的各種應(yīng)用開發(fā)需求。

應(yīng)用場(chǎng)景

與傳統(tǒng)的硅基解決方案相比，意法半導(dǎo)體的第四代SiC MOSFET解決方案具有更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量以及更長(zhǎng)的續(xù)航能力。這些優(yōu)勢(shì)對(duì)于實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車的廣泛應(yīng)用至關(guān)重要。一線電動(dòng)汽車廠商正與意法半導(dǎo)體合作，將第四代SiC技術(shù)引入他們的新車型，以提高性能和能源效率。雖然主要應(yīng)用是電動(dòng)汽車電驅(qū)逆變器，但該技術(shù)同樣適用于大功率工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。新一代產(chǎn)品改進(jìn)了開關(guān)性能和穩(wěn)健性，使電機(jī)控制器變得更高效、更可靠，降低了工業(yè)環(huán)境中的能耗和運(yùn)營(yíng)成本。在可再生能源應(yīng)用中，第四代SiC MOSFET可以提高太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的能效，有助于實(shí)現(xiàn)更可持續(xù)且成本效益更高的能源解決方案。此外，新一代SiC MOSFET的高能效和緊湊尺寸對(duì)于解決AI服務(wù)器數(shù)據(jù)中心的巨大功率需求和熱管理挑戰(zhàn)至關(guān)重要。

結(jié)論

意法半導(dǎo)體的第四代STPOWER SiC MOSFET技術(shù)不僅提升了電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用的性能和能效，還為實(shí)現(xiàn)更可持續(xù)的未來(lái)做出了重要貢獻(xiàn)。隨著這項(xiàng)技術(shù)的推廣和應(yīng)用，意法半導(dǎo)體將繼續(xù)在碳化硅領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位，推動(dòng)全球能源轉(zhuǎn)型和技術(shù)進(jìn)步。