2024年7月16日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商美光科技股份有限公司（NASDAQ: MU）宣布，已開始向客戶出樣其最新研發(fā)的多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）。這款革命性的內(nèi)存模塊專為應(yīng)對復(fù)雜工作負(fù)載而設(shè)計，旨在推動計算基礎(chǔ)設(shè)施的效能邊界，尤其適用于內(nèi)存密集型的虛擬化多租戶、高性能計算和AI數(shù)據(jù)中心環(huán)境。

美光MRDIMM的推出，標(biāo)志著內(nèi)存技術(shù)的一個重要里程碑。它不僅提供了前所未有的內(nèi)存帶寬、容量和低延遲，還實現(xiàn)了更高的每瓦性能。相比傳統(tǒng)的TSV RDIMM，MRDIMM能夠支持每個DIMM插槽超過128GB的內(nèi)存，展現(xiàn)出色的性能優(yōu)勢。作為美光MRDIMM系列的首款產(chǎn)品，它將與英特爾?至強?6處理器平臺兼容，為用戶帶來卓越的計算體驗。

美光副總裁兼計算產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理Praveen Vaidyanathan強調(diào)：“美光的MRDIMM是下一代服務(wù)器平臺的理想選擇，它在提供與RDIMM相同的可靠性、可用性、適用性和接口的基礎(chǔ)上，大幅提升了任務(wù)執(zhí)行效率和能源利用率，為AI推理和高性能計算領(lǐng)域開辟了全新的可能性。”

MRDIMM通過嚴(yán)格遵循DDR5的物理和電氣標(biāo)準(zhǔn)，實現(xiàn)了內(nèi)存架構(gòu)上的重大突破。相較于RDIMM，MRDIMM能夠提供高達(dá)39%的有效內(nèi)存帶寬提升、超過15%的總線效率提升以及高達(dá)40%的延遲降低。這些優(yōu)勢使得MRDIMM成為高性能1U和2U服務(wù)器的理想選擇，提供從32GB到256GB的容量范圍，滿足多樣化的應(yīng)用需求。

美光科技精心設(shè)計的TFF（Thin Form Factor）模塊，通過優(yōu)化的散熱方案，能夠在相同的功耗和氣流條件下，將DRAM溫度降低高達(dá)20攝氏度，顯著改善了數(shù)據(jù)中心的熱管理和能效。利用先進(jìn)的32Gb DRAM芯片，256GB TFF MRDIMM實現(xiàn)了與128GB TFF MRDIMM相媲美的功耗水平，同時在數(shù)據(jù)傳輸速率方面比同等容量的TSV RDIMM提升了35%，極大地優(yōu)化了總系統(tǒng)任務(wù)能耗，為數(shù)據(jù)中心帶來了前所未有的TCO（Total Cost of Ownership）優(yōu)勢。

英特爾副總裁兼數(shù)據(jù)中心至強6產(chǎn)品管理總經(jīng)理Matt Langman表示：“MRDIMM與英特爾至強6處理器的無縫兼容，為客戶提供了更多的靈活性和選擇空間。無論是在高性能計算、AI還是其他工作負(fù)載場景下，MRDIMM都能提供卓越的性能表現(xiàn)，與英特爾至強6平臺完美融合，為用戶提供無與倫比的計算體驗。”

聯(lián)想集團(tuán)副總裁兼人工智能和高性能計算總經(jīng)理Scott Tease指出：“美光MRDIMM的出現(xiàn)，將有力彌補處理器和GPU核心數(shù)量激增與內(nèi)存帶寬增長之間的不平衡，特別是在AI推理、再訓(xùn)練以及高性能計算等關(guān)鍵領(lǐng)域，將極大縮小帶寬差距，為用戶帶來更加均衡、高效和可持續(xù)的技術(shù)解決方案。”

目前，美光MRDIMM已經(jīng)上市，并計劃于2024年下半年進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段。未來，美光將繼續(xù)推動MRDIMM產(chǎn)品的迭代升級，承諾后續(xù)幾代產(chǎn)品將提供比同代RDIMM高出45%的單通道內(nèi)存帶寬，持續(xù)引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展潮流。