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Nexperia引領(lǐng)MOSFET創(chuàng)新:定制化解決方案重塑應(yīng)用邊界

來源:Nexperia官網(wǎng)| 發(fā)布日期:2024-07-17 18:00:01 瀏覽量:

隨著電子工程領(lǐng)域的不斷發(fā)展,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為電力電子的核心組件,其應(yīng)用也日益多元化和復(fù)雜化。Nexperia,作為半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,深刻理解不同應(yīng)用場景下MOSFET需求的獨特性,推出了系列應(yīng)用專用MOSFET,旨在通過優(yōu)化關(guān)鍵參數(shù),為特定領(lǐng)域提供最佳匹配的解決方案。

重復(fù)雪崩的汽車ASFET:堅固耐用的守護者

在汽車電子領(lǐng)域,尤其是當MOSFET用于驅(qū)動感性負載,如電磁閥時,重復(fù)雪崩能力成為關(guān)鍵考量因素。Nexperia的汽車級ASFET憑借其保證的重復(fù)雪崩性能,成功克服了這一挑戰(zhàn),滿足了汽車標準AEC-Q101的要求。通過先進的硅技術(shù)和LFPAK封裝的結(jié)合,這種MOSFET能夠在承受高達十億次重復(fù)雪崩事件的同時,保持結(jié)溫低于175℃,展現(xiàn)出卓越的耐用性和系統(tǒng)級成本節(jié)約潛力。

Nexperia

電池隔離的ASFET:安全高效的能量守門員

面對多節(jié)鋰離子電池組帶來的安全風(fēng)險,Nexperia的電池隔離ASFET應(yīng)運而生,具備增強的SOA(安全工作區(qū))、穩(wěn)健性和最大電流承載能力。在故障條件下,這種MOSFET能夠安全地隔離電池,防止過熱和潛在的電路火災(zāi),同時在正常運行時保持低導(dǎo)通電阻,減少能耗。其穩(wěn)健的設(shè)計使其成為電池保護IC的首選,確保設(shè)備在各種條件下的安全運行。

熱插拔和軟啟動的ASFET:平穩(wěn)過渡的保障

在云計算、邊緣計算及其它始終在線的系統(tǒng)中,熱插拔和軟啟動功能對于保護系統(tǒng)免受電源沖擊至關(guān)重要。Nexperia為此設(shè)計的ASFET集成了強大的線性模式性能和增強的SOA,同時保持低導(dǎo)通電阻,確保了在熱插拔過程中的電流控制和平穩(wěn)過渡。一旦完成軟啟動,MOSFET進入完全導(dǎo)通狀態(tài),低Rds(on)值進一步提升了系統(tǒng)效率和熱性能。

Nexperia的MOSFET創(chuàng)新,不僅僅是技術(shù)上的突破,更是對行業(yè)需求深刻洞察的結(jié)果。通過定制化設(shè)計,Nexperia為汽車、電池管理和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供了量身定做的MOSFET解決方案,不僅提升了系統(tǒng)性能,還確保了長期穩(wěn)定性和安全性。隨著未來應(yīng)用的不斷拓展,Nexperia將繼續(xù)引領(lǐng)MOSFET技術(shù)的發(fā)展,為工程師們提供更為豐富和專業(yè)的選擇。

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