Vishay最近推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8 LR封裝的第四代600V E系列功率MOSFET，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效的高功率密度解決方案。這款Vishay Siliconix的n溝道SiHR080N60E功率MOSFET相較于前代器件，導(dǎo)通電阻降低了27%，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積（即600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的FOM）下降了60%，額定電流高于D2PAK封裝器件，同時(shí)減小了占位面積。

Vishay的豐富MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過程，涵蓋了各種需要高壓輸入到低壓輸出的先進(jìn)高科技設(shè)備。SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600V E系列器件的發(fā)布，使得Vishay能夠在電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)初期滿足提高能效和功率密度的雙重需求，包括功率因數(shù)校正（PFC）和后續(xù)的DC/DC轉(zhuǎn)換器磚式電源。典型應(yīng)用包括服務(wù)器、邊緣計(jì)算、超級(jí)計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、UPS、HID燈和熒光鎮(zhèn)流器、通信SMPS、太陽能逆變器、焊接設(shè)備、感應(yīng)加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)，以及電池充電器。

SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8 LR封裝，外形尺寸為10.42mm x 8mm x 1.65mm，占位面積比D2PAK封裝減小了50.8%，高度降低了66%。由于封裝采用頂側(cè)冷卻，具有出色的熱性能，結(jié)殼（漏極）熱阻僅為0.25°C/W。在相同導(dǎo)通電阻下，額定電流比D2PAK封裝高46%，從而顯著提高功率密度。此外，封裝的鷗翼引線結(jié)構(gòu)具有優(yōu)異的溫度循環(huán)性能。

SiHR080N60E采用Vishay先進(jìn)的高能效E系列超級(jí)結(jié)技術(shù)，10V下典型導(dǎo)通電阻僅為0.074Ω，超低柵極電荷下降到42nC。器件的FOM為3.1Ω*nC，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平，這些性能參數(shù)意味著降低了傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，從而實(shí)現(xiàn)節(jié)能并提高2kW以上電源系統(tǒng)的效率。此外，封裝還提供開爾文（Kelvin）連接，以提高開關(guān)效率。

該器件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素，耐受雪崩模式下過壓瞬變，并保證極限值100%通過UIS測試。如需產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。