英飛凌推出CoolSiC? G2碳化硅MOSFET技術(shù)，引領(lǐng)能源轉(zhuǎn)換新風(fēng)潮

來源：英飛凌官網(wǎng)| 發(fā)布日期：2024-03-12 11:38:15 瀏覽量：

近日，英飛凌(Infineon)發(fā)布了全新的CoolSiC? G2碳化硅MOSFET技術(shù)，為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換開啟了全新篇章。這一新一代技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的基礎(chǔ)上，將MOSFET的關(guān)鍵性能指標(biāo)提高了20%，包括能量和電荷儲量，從而提升了整體能效，推動了低碳化進(jìn)程。

CoolSiC? G2技術(shù)繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗提高功率轉(zhuǎn)換效率，為光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機(jī)驅(qū)動和工業(yè)電源等領(lǐng)域帶來了巨大優(yōu)勢。采用CoolSiC? G2的電動汽車直流快速充電站可減少10%的功率損耗，實現(xiàn)更高的充電功率而不增加外形尺寸。此外，基于CoolSiC? G2器件的牽引逆變器還可增加電動汽車的續(xù)航里程。在可再生能源領(lǐng)域，CoolSiC? G2的太陽能逆變器不僅保持高功率輸出，還實現(xiàn)更小尺寸，降低每瓦成本。

英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer博士表示，采用高效新技術(shù)產(chǎn)生、傳輸和消耗能量是當(dāng)前大趨勢。CoolSiC? MOSFET G2技術(shù)將碳化硅性能提升到新水平，使廠商能夠設(shè)計出成本更低、結(jié)構(gòu)更緊湊、性能更可靠、效率更高的系統(tǒng)，減少每瓦二氧化碳排放，持續(xù)推動工業(yè)、消費、汽車領(lǐng)域的低碳化和數(shù)字化創(chuàng)新。

英飛凌的CoolSiC? MOSFET溝槽柵技術(shù)為高性能CoolSiC? G2解決方案的發(fā)展鋪平道路，提供更優(yōu)化的設(shè)計選擇，具有更高效率和可靠性。結(jié)合.XT封裝技術(shù)，英飛凌進(jìn)一步提升了基于CoolSiC? G2的設(shè)計潛力，提供更高導(dǎo)熱性、更優(yōu)封裝控制和更出色性能。

英飛凌憑借對硅、碳化硅和氮化鎵(GaN)等關(guān)鍵功率技術(shù)的掌握，提供靈活設(shè)計和領(lǐng)先應(yīng)用知識，滿足現(xiàn)代設(shè)計的需求。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)材料的創(chuàng)新半導(dǎo)體已成為能源高效利用的關(guān)鍵，在推動低碳化進(jìn)程中發(fā)揮著重要作用。

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