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氮化鎵(GaN)在近年來的充電技術(shù)中獲得了廣泛的關(guān)注和應(yīng)用，尤其在快充頭中。采用了GaN功率器件的充電頭最直觀的感受就是體積小、重量輕，在發(fā)熱量、效率轉(zhuǎn)換上相比普通充電器也有更大的優(yōu)勢(shì)，大大的提升了用戶的使用體驗(yàn)。
氮化鎵有幾個(gè)特性使其在電源轉(zhuǎn)換和充電應(yīng)用中表現(xiàn)出色：
1、高效率: 相比傳統(tǒng)的硅(Si)材料，氮化鎵有更高的電能轉(zhuǎn)換效率。這意味著在將電能從一個(gè)電壓或電流級(jí)別轉(zhuǎn)換到另一個(gè)級(jí)別時(shí)，氮化鎵設(shè)備會(huì)有更少的能量損失。
2、更小的體積: 由于氮化鎵的高效性，可以設(shè)計(jì)更小型化的電源轉(zhuǎn)換器。這是因?yàn)樗璧臒峁芾砗蜕峤鉀Q方案更簡(jiǎn)單，導(dǎo)致整體尺寸減小。
3、更好的熱性能: 氮化鎵在高溫下的性能比硅更好，這使得它在某些高壓和高溫應(yīng)用中更為理想。
4、更低的導(dǎo)通損失: 在開關(guān)轉(zhuǎn)換器中，氮化鎵的導(dǎo)通損失相對(duì)較低，有助于提高效率。
由于上述優(yōu)點(diǎn)，氮化鎵被認(rèn)為是下一代快速充電和電源轉(zhuǎn)換解決方案的關(guān)鍵材料，正在逐步替代傳統(tǒng)的硅基器件，這就是為什么高端快充頭開始廣泛采用氮化鎵技術(shù)。
鈺泰半導(dǎo)體ETA氮化鎵快充頭相關(guān)電子元器件
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