8月26日，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司成功舉辦了氮化鎵激光芯片產(chǎn)品發(fā)布會(huì)，發(fā)布了多款備受期待的氮化鎵激光芯片產(chǎn)品。這些產(chǎn)品涵蓋了藍(lán)光、綠光和紫光等系列，其關(guān)鍵性能指標(biāo)已達(dá)到國(guó)外同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平。格恩半導(dǎo)體憑借其超強(qiáng)的技術(shù)實(shí)力和國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，在氮化鎵激光芯片領(lǐng)域展示出了強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力，將有力促進(jìn)國(guó)內(nèi)氮化鎵激光全產(chǎn)業(yè)鏈的蓬勃發(fā)展。與會(huì)人員和專家學(xué)者對(duì)此次產(chǎn)品發(fā)布會(huì)給予了高度贊譽(yù)。

據(jù)了解，氮化鎵半導(dǎo)體激光器具有體積小、壽命長(zhǎng)、效率高等優(yōu)點(diǎn)，可覆蓋可見光和紫外波段的波長(zhǎng)范圍。其應(yīng)用領(lǐng)域包括激光顯示、工業(yè)加工、激光照明、激光通訊、激光醫(yī)療等眾多領(lǐng)域。近年來，氮化鎵激光器市場(chǎng)需求呈現(xiàn)較高的復(fù)合增長(zhǎng)趨勢(shì)。然而，由于氮化鎵激光技術(shù)的高壁壘，國(guó)內(nèi)企業(yè)一直依賴進(jìn)口，長(zhǎng)期被國(guó)外少數(shù)企業(yè)壟斷。

近年來，格恩半導(dǎo)體集中優(yōu)勢(shì)資源力量，憑借在化合物半導(dǎo)體，特別是氮化鎵材料領(lǐng)域的豐富研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，攻克了一系列技術(shù)難點(diǎn)，成為國(guó)內(nèi)首家可以規(guī)模量產(chǎn)氮化鎵激光芯片的企業(yè)。目前，格恩半導(dǎo)體已具備覆蓋氮化鎵激光器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、封裝測(cè)試全系列工程技術(shù)能力及量產(chǎn)制造能力，擁有國(guó)際領(lǐng)先的激光芯片研發(fā)團(tuán)隊(duì)和先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備。格恩半導(dǎo)體不斷推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新，堅(jiān)持精細(xì)化流程管理，保持激光芯片研發(fā)的高效率與高命中率。同時(shí)，格恩半導(dǎo)體還注重產(chǎn)品質(zhì)量控制，提高服務(wù)水平，適應(yīng)市場(chǎng)變化，不斷推動(dòng)新技術(shù)與新產(chǎn)品的落地。

中國(guó)科學(xué)院院士、南昌大學(xué)副校長(zhǎng)江風(fēng)益在發(fā)布會(huì)上為格恩半導(dǎo)體的氮化鎵激光芯片點(diǎn)贊，并表示這一突破具有象征性的重要意義。他指出，雖然國(guó)內(nèi)高校和研究所也從事相關(guān)研究，但沒有具體的產(chǎn)品推出。格恩半導(dǎo)體的突破對(duì)于國(guó)內(nèi)光電子器件的高質(zhì)量發(fā)展具有重要意義。江風(fēng)益還表示期待未來在國(guó)際的高端市場(chǎng)上，國(guó)產(chǎn)的氮化鎵激光芯片能夠占有一席之地。

格恩半導(dǎo)體的氮化鎵激光芯片產(chǎn)品的發(fā)布，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在這一領(lǐng)域的空白，打破了國(guó)外少數(shù)企業(yè)的壟斷局面。這將有助于提升國(guó)內(nèi)激光器產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力，推動(dòng)相關(guān)技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。格恩半導(dǎo)體將繼續(xù)加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，為業(yè)界提供性能優(yōu)異的激光芯片，推動(dòng)我國(guó)光電子器件產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。

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