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ROHM第4代SiC MOSFET：特點與應用效果初探

來源：ROHM| 發(fā)布日期：2023-08-18 10:35:06 瀏覽量：

隨著電力電子技術的不斷發(fā)展，SiC MOSFET作為一種高性能的功率開關器件，得到了廣泛的關注和應用。ROHM作為一家領先的半導體公司，推出了第4代SiC MOSFET產品，通過進一步改進結構和性能，實現了更低的導通電阻和更出色的高速開關特性。本文將為您介紹ROHM第4代SiC MOSFET的特點，并初步了解其在應用中的效果。

1、改進的雙溝槽結構：更低導通電阻和短路耐受時間

ROHM第4代SiC MOSFET通過改進雙溝槽結構，進一步提升了性能。其中，針對EV牽引逆變器等應用所需的短路耐受時間進行了改善。與第3代SiC MOSFET相比，第4代產品的導通電阻降低了約40%。這使得第4代SiC MOSFET的導通電阻達到了業(yè)內超低級別，為電路的高效運行提供了有力支持。

改進的雙溝槽結構：更低導通電阻和短路耐受時間

2、降低寄生電容：更低的開關損耗

第4代SiC MOSFET在設計中大幅降低了柵-漏電容(CGD)，成功地降低了開關損耗。與第3代SiC MOSFET相比，開關損耗降低了約50%。這一改進使得第4代SiC MOSFET在高速開關應用中表現出色，為提高系統效率和減少能量損耗做出了重要貢獻。

降低寄生電容：更低的開關損耗

3、支持15V柵-源電壓驅動：更簡化的產品設計

第4代SiC MOSFET將柵-源電壓驅動(VGS)降低至15V。相較于第3代SiC MOSFET的18V驅動電壓，第4代產品的15V驅動電壓使得應用產品的設計更加容易。這為系統設計師提供了更大的靈活性和便利性，同時降低了設計成本和復雜度。

綜上所述，ROHM推出的第4代SiC MOSFET在性能和特點上有了顯著的提升。通過降低導通電阻、寄生電容和驅動電壓，該產品在高效能電力電子應用中表現出色。然而，需要注意的是，本文僅初步了解了第4代SiC MOSFET的特點和應用效果，更多詳細信息需要進一步的實驗和驗證。隨著SiC MOSFET技術的不斷進步，相信其在各個領域的應用將會有更廣闊的前景。




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