意法半導(dǎo)體于8月3日宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)其增強(qiáng)模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件，該器件可簡(jiǎn)化高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。STPOWER? GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電以及汽車電氣化等應(yīng)用的性能。

該系列先期推出的兩款產(chǎn)品SGT120R65AL和SGT65R65AL都是工業(yè)級(jí)650V常關(guān)G-HEMT?晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝。它們的額定電流分別為15A和25A，25℃時(shí)的典型導(dǎo)通電阻(RDS(on))分別為75mΩ和49mΩ。此外，這兩款GaN晶體管的總柵極電荷分別為3nC和5.4nC，寄生電容較低，可以確保晶體管具有最小的導(dǎo)通/關(guān)斷能量損耗。而開爾文源極引腳則可以優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)。除了可以減小電源和適配器的尺寸和重量，這兩款新的GaN晶體管還能實(shí)現(xiàn)更高的能效、更低的工作溫度以及更長(zhǎng)的使用壽命。

在未來的幾個(gè)月內(nèi)，意法半導(dǎo)體還計(jì)劃推出更多新款PowerGaN產(chǎn)品，包括車規(guī)器件以及PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封裝。

意法半導(dǎo)體的G-HEMT器件將推動(dòng)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)向GaN寬帶隙技術(shù)的過渡。與傳統(tǒng)的硅基晶體管相比，GaN晶體管具有相同的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻(RDS(on))，但總柵極電荷和寄生電容更低，并且沒有反向恢復(fù)電荷。這些特性提高了晶體管的能效和開關(guān)性能，使得可以使用更小的無源器件實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，進(jìn)而提高功率密度。因此，應(yīng)用設(shè)備可以變得更小型化且性能更高。未來，GaN還有望實(shí)現(xiàn)新的功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，進(jìn)一步提高能效并降低功耗。

意法半導(dǎo)體的PowerGaN分立器件產(chǎn)能充足，可以滿足客戶快速量產(chǎn)需求。SGT120R65AL和SGT65R65AL已經(jīng)上市，采用PowerFLAT 5x6 HV封裝。

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