隨著氮化鎵（GaN）技術(shù)的商業(yè)化推進(jìn)，氮化鎵在功率轉(zhuǎn)換解決方案中展現(xiàn)出了巨大的潛力。GaN技術(shù)相比于傳統(tǒng)的硅基晶體管具有諸多優(yōu)點，例如更出色的品質(zhì)因數(shù)(FoM)、導(dǎo)通電阻(RDS(on))和總柵電荷(QG)等性能，同時還提供了更高的漏源電壓能力、零反向恢復(fù)電荷和極低的本征電容。這使得先進(jìn)的GaN技術(shù)解決方案在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中可以實現(xiàn)更高的效率和功率密度，同時滿足了嚴(yán)格的能源要求。

最近，意法半導(dǎo)體宣布開始量產(chǎn)一種名為PowerGaN HEMT（高電子遷移率晶體管）的增強模式GaN器件，這一系列的晶體管可以簡化高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的設(shè)計。STPOWER? GaN晶體管是一種基于氮化鎵（GaN）的高效晶體管，可以提升墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電以及汽車電氣化等應(yīng)用的性能。

在該系列的初始產(chǎn)品中，SGT120R65AL和SGT65R65AL是兩款工業(yè)級650V常關(guān)G-HEMT?晶體管。它們采用了PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時的典型導(dǎo)通電阻(RDS(on))分別為75mΩ和49mΩ。此外，它們還具備3nC和5.4nC的總柵極電荷、低寄生電容等特性，以確保晶體管在導(dǎo)通和關(guān)斷過程中損耗能量最小化。開爾文源極引腳的引入可以優(yōu)化柵極驅(qū)動。除了減小電源和適配器的尺寸和重量外，這兩款新的GaN晶體管還可以實現(xiàn)更高的能效、更低的工作溫度以及更長的使用壽命。

意法半導(dǎo)體的G-HEMT器件將加速功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)向GaN寬帶隙技術(shù)的過渡。相比于硅基晶體管，GaN晶體管具有相同的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻(RDS(on))，但總柵極電荷和寄生電容更低，同時也沒有反向恢復(fù)電荷。這些特性提升了晶體管的能效和開關(guān)性能，使得可以使用更小的無源器件實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和功率密度。因此，應(yīng)用設(shè)備可以變得更小巧且性能更出眾。未來，GaN技術(shù)還有望實現(xiàn)全新的功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，進(jìn)一步提高能效并降低功耗。

意法半導(dǎo)體的PowerGaN分立器件的產(chǎn)能充足，可以滿足客戶大規(guī)模生產(chǎn)的需求。SGT120R65AL和SGT65R65AL已經(jīng)上市，采用了PowerFLAT 5x6 HV封裝。通過使用這些GaN晶體管，功率轉(zhuǎn)換技術(shù)將迎來一個全新的時代。