近年來，為了實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會，對消費電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。為滿足這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件備受期待。

GaN（氮化鎵）是一種化合物半導(dǎo)體，類似于SiC（碳化硅），被視為第三代半導(dǎo)體材料的代表之一，并廣泛應(yīng)用于新一代高頻功率元器件。相比于傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體材料，GaN具有更大的禁帶寬度、擊穿場強和電子飽和速度，具備更出色的物理性能。特別是在高頻率工作和高速開關(guān)狀態(tài)下，GaN表現(xiàn)出比硅甚至碳化硅更好的性能。

HEMT是High Electron Mobility Transistor（高電子遷移率晶體管）的英文首字母縮寫，與垂直結(jié)構(gòu)的Si MOSFET相比，HEMT通過控制導(dǎo)通寬度來控制器件的開關(guān)狀態(tài)，具有水平結(jié)構(gòu)（可理解為柵極電壓）。GaN HEMT結(jié)合了這種結(jié)構(gòu)和GaN本身的特性，使得它具備更快的開關(guān)速度，同時開關(guān)損耗也比Si MOSFET降低了約65%。如圖所示：

在現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體器件中，Si MOSFET適用于中頻率和中功率范圍；IGBT由于拖尾現(xiàn)象的存在，主要應(yīng)用于低頻高功率范圍；SiC相對于IGBT，在更高的頻率范圍內(nèi)具備應(yīng)用的潛力，通常用于車載逆變器、車載DC-DC，甚至在鐵路、工業(yè)設(shè)備、太陽能和光伏領(lǐng)域。而在所有這些器件中，GaN的頻率最高，功率容量屬于中等，目前主要應(yīng)用于快充和小型AC適配器中，未來有望擴展到車載OBC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源和分布式基站電源等領(lǐng)域。

然而，與Si MOSFET相比，GaN HEMT的柵極處理更為復(fù)雜，需要與專門用于驅(qū)動?xùn)艠O的驅(qū)動器結(jié)合使用。在這一市場背景下，羅姆半導(dǎo)體結(jié)合其在功率和模擬兩個核心技術(shù)方面的專長，開發(fā)出一種融合了GaN HEMT和柵極驅(qū)動器的Power Stage IC產(chǎn)品“BM3G0xxMUV-LB”。該產(chǎn)品的問世使得被譽為“下一代功率半導(dǎo)體”的GaN器件可以更加輕松地實現(xiàn)安裝。

羅姆半導(dǎo)體的Power Stage IC產(chǎn)品將GaN HEMT和柵極驅(qū)動器集成在一起，為GaN器件的應(yīng)用提供了便利。這一創(chuàng)新技術(shù)將相對復(fù)雜的柵極處理簡化，加速了相關(guān)設(shè)備的開發(fā)和部署的過程。通過羅姆半導(dǎo)體的努力，GaN器件的可廣泛應(yīng)用將有望帶來更高的功率轉(zhuǎn)換效率和更小的器件尺寸，促進可持續(xù)發(fā)展的目標(biāo)的實現(xiàn)。

總而言之，羅姆半導(dǎo)體所開發(fā)的Power Stage IC產(chǎn)品為下一代功率半導(dǎo)體的應(yīng)用提供了便利。通過集成GaN HEMT和柵極驅(qū)動器，該產(chǎn)品簡化了柵極處理的復(fù)雜性，加速了相關(guān)設(shè)備的開發(fā)和部署。此舉將推動功率轉(zhuǎn)換效率的提升和器件尺寸的縮小，為實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會目標(biāo)作出了積極貢獻。

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