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好樣的，兩部門(mén)出手：對(duì)兩大稀有金屬出口管制！

來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng)| 發(fā)布日期：2023-07-04 09:51:54 瀏覽量：

7月3日18點(diǎn)，商務(wù)部和海關(guān)總署宣布實(shí)施對(duì)鎵和鍺相關(guān)物品的出口管制措施。此舉是針對(duì)美國(guó)和荷蘭最近對(duì)中國(guó)芯片發(fā)展制裁的回應(yīng)。

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鎵相關(guān)物品包括氮化鎵、砷化鎵和銦鎵砷化物，而鍺相關(guān)物品包括磷酸銦鍺、鍺外延生長(zhǎng)基板和二氧化鍺等。這些都是半導(dǎo)體行業(yè)中重要的材料，特別是在第三代半導(dǎo)體中，氮化鎵是關(guān)鍵材料。

第三代半導(dǎo)體是中國(guó)由于鎵和鍺儲(chǔ)量豐富而具有天然優(yōu)勢(shì)的領(lǐng)域。與第一代和第二代半導(dǎo)體不同，第三代半導(dǎo)體不需要先進(jìn)的光刻機(jī)器，因此不存在受出口管制限制的問(wèn)題。

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在提高電子設(shè)備在高壓、高頻和高功率應(yīng)用方面的工作特性方面具有巨大潛力，如軍事、新能源和電動(dòng)汽車。目前，GaN主要用于功率器件，而SiC主要用于高溫、高頻率和高效率大功率器件。

沒(méi)有第三代半導(dǎo)體，軍用雷達(dá)、移動(dòng)基站、智能電網(wǎng)、高速鐵路和電動(dòng)汽車的發(fā)展將受到嚴(yán)重影響。2020年，中國(guó)生產(chǎn)了290噸鎵，占全球產(chǎn)量的96%。在儲(chǔ)量方面，中國(guó)的鎵儲(chǔ)量占全球總量的68%以上。因此，如果不使用中國(guó)的半導(dǎo)體材料，就無(wú)法發(fā)展新能源等。

重拳已出，就看荷蘭以及背后美日如何應(yīng)對(duì)。如果他們膽敢繼續(xù)升級(jí)半導(dǎo)體領(lǐng)域的不當(dāng)競(jìng)爭(zhēng)，而美國(guó)作為始作俑者也將受到嚴(yán)重影響。


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