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RBN40H65T1FPQ-A0(瑞薩電子 IGBT)產(chǎn)品特點(diǎn)及應(yīng)用

來源:中芯巨能:提供選型指導(dǎo)+現(xiàn)貨供應(yīng)+技術(shù)支持| 發(fā)布日期:2024-05-07 12:00:02 瀏覽量:

RBN40H65T1FPQ-A0是瑞薩電子一款650V 40A TO-247A 內(nèi)置 FRD的IGBT ,瑞薩電子代理商-中芯巨能為您提供RBN40H65T1FPQ-A0中文資料:產(chǎn)品特性、應(yīng)用領(lǐng)域、引腳圖及功能框圖。

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RBN40H65T1FPQ-A0產(chǎn)品特性

溝槽柵極和薄晶圓技術(shù)(G8H 系列)

內(nèi)置快速恢復(fù)二極管,集成在一個(gè)封裝中

低集電極至發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat) = 1.5V(典型值) (在 IC = 40 A、VGE = 15 V、Ta = 25°C 時(shí))

質(zhì)量等級(jí):標(biāo)準(zhǔn)

高速開關(guān)

非短路專用

RBN40H65T1FPQ-A0應(yīng)用

UPS、焊接、光伏逆變器、電源轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)

RBN40H65T1FPQ-A0引腳圖及功能框圖

RBN40H65T1FPQ-A0引腳圖及功能框圖

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