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熱搜關(guān)鍵詞:
在高精度模擬和混合信號系統(tǒng)中,基準電壓源是確保整個系統(tǒng)穩(wěn)定性和準確性的核心元件。相較于傳統(tǒng)的齊納二極管基準,帶隙基準電壓源憑借其低電源裕量、寬輸出電壓范圍及優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性,成為現(xiàn)代集成電路設(shè)計中的主流選擇。帶隙基準電壓源代理商-中芯巨能將從工作原理、關(guān)鍵參數(shù)到典型應用,全面解析帶隙基準電壓源的設(shè)計與使用。
帶隙基準電壓源的核心思想是利用雙極型晶體管(BJT)的基極-發(fā)射極電壓(VBE)隨溫度變化的負溫度系數(shù)特性,與兩個不同電流密度下產(chǎn)生的?VBE(正溫度系數(shù))相結(jié)合,通過適當比例疊加,使最終輸出電壓在寬溫度范圍內(nèi)保持恒定。
圖1.設(shè)計帶隙電路提供理論上為零的溫度系數(shù)
如圖1所示,以LT1004為例,該電路包含一對不匹配的雙極晶體管Q10和Q11,其中Q10的發(fā)射極面積為Q11的10倍。當兩者的集電極電流相等時,兩者基極之間的電壓差?VBE可表示為:
ΔVBE=qkT?ln(10)
其中:
k:玻爾茲曼常數(shù)(1.38×10?23 J/K)
T:絕對溫度(K)
q:電子電荷(1.6×10?1? C)
在25°C時,該值約為60 mV,并具有+0.2 mV/°C的正溫度系數(shù)。將此電壓施加于一個固定電阻(例如50kΩ),即可產(chǎn)生一個與溫度成正比的電流。隨后,該電流用于偏置另一個二極管連接的晶體管Q14,其VBE具有–2.2 mV/°C的負溫度系數(shù)。通過合理設(shè)置電阻分壓比,可以使得兩種溫度效應相互抵消,從而獲得理論溫度漂移為零的基準電壓——通常約為1.235 V。
現(xiàn)代帶隙基準電壓源已實現(xiàn)高度集成化和多樣化,工程師可根據(jù)以下關(guān)鍵指標進行選型:
參數(shù) | 描述 |
---|---|
初始精度 | 出廠時的電壓誤差,常見為±0.05%~±1% |
溫度漂移 | 每攝氏度的電壓變化,單位為ppm/°C,越低越好 |
功耗 | 靜態(tài)電流,適用于電池供電設(shè)備需選擇低功耗型號 |
輸出電壓 | 常見標準值包括1.2V、2.5V、3.3V、5V等 |
封裝尺寸 | SOT23、DFN(如2mm×2mm)等小型封裝支持高密度布局 |
負載調(diào)整率 | 表征負載變化對輸出電壓的影響 |
ADI公司提供的多款帶隙基準電壓源涵蓋了多種應用場景:
高精度型:如LTC6652(溫度漂移<2ppm/°C,噪聲僅2ppm峰峰值)
低功耗型:如LT1389(靜態(tài)電流僅800nA)
小尺寸型:如LT6660(2mm×2mm DFN封裝)
通用型:如LT1460(SOT23封裝,低成本、高性能)
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ADC/DAC參考電壓源
在高分辨率數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器中,穩(wěn)定的基準電壓直接影響系統(tǒng)的線性度和精度。推薦使用LTC6652或LT1790等超低漂移型號。
電壓監(jiān)控電路
結(jié)合比較器使用,如LT6700內(nèi)置400mV基準,可用于低電壓檢測,適合便攜式設(shè)備電源管理。
傳感器接口電路
在精密測量系統(tǒng)中,帶隙基準提供穩(wěn)定的偏置點,減少環(huán)境溫度變化帶來的誤差。
校準與測試設(shè)備
對于需要長期穩(wěn)定性的儀器儀表,建議選用具有出廠校準功能的高精度基準源。
電源裕量要求低:多數(shù)帶隙基準可在電源電壓接近基準電壓時仍正常工作(如僅需100mV裕量)
注意負載調(diào)整率:避免因負載突變引起輸出波動,必要時增加緩沖放大器
去耦電容配置:在VREF引腳附近放置0.1μF陶瓷電容,降低高頻噪聲影響
PCB布線優(yōu)化:遠離噪聲源,采用獨立地平面,防止熱漂移干擾
帶隙基準電壓源以其出色的溫度穩(wěn)定性、廣泛的輸出電壓選擇和靈活的封裝形式,在現(xiàn)代精密電子系統(tǒng)中扮演著不可或缺的角色。對于工程師而言,理解其工作原理并根據(jù)具體應用需求選擇合適的器件,不僅能提升系統(tǒng)性能,還能簡化設(shè)計流程、縮短開發(fā)周期。隨著工藝技術(shù)的進步,新一代帶隙基準在噪聲、長期穩(wěn)定性和功耗方面持續(xù)優(yōu)化,正逐步縮小與齊納基準的差距,成為高性價比、高性能的理想選擇。